Фоторезистор

Фоторезистор (від фото ... і резистор), являє собою недротяні напівпровідниковий резистор, омічний опір якого визначається ступенем освітленості. В основі принципу дії фоторезисторів лежить явище фотопровідності напівпровідників. Фотопровідність-збільшення електричної провідності напівпровідника під дією світла. Причина фотопровідності - збільшення концентрації носіїв заряду - електронів у зоні провідності і дірок у валентній зоні. Світлочутливий шар напівпровідникового матеріалу в таких опорах поміщений між двома струмопровідними електродами. Під впливом світлового потоку електричний опір шару змінюється в кілька разів (у деяких типів фотосопротивлений воно зменшується на два-три порядки). У залежності від застосовуваного шару напівпровідникового матеріалу фотосопротивлений поділяються на сірчистої-свинцеві, сірчистої-кадмієві, сірчистої-Вісмутові і полікристалічні селено-кадмієві. Фотосопротивлений володіють високою чутливістю, стабільністю, економічні і надійні в експлуатації. У цілому ряді випадків вони з успіхом замінюють вакуумні й газонаповнені фотоелементи. Основні характеристики фотосопротивлений. Робоча площа. Темновий опір (опір у повній темряві), варіює у звичайних приладах від 1000 до 100 млн му. Питома чутливість, де: Граничне робоча напруга (як правило від 1 до 1000 в). Середнє відносне зміна опору,% - зазвичай лежить в межах 10 - 99,9%, 6. Середня кратність зміни опору (як правило від 1 до 1000). Визначається співвідношенням: Rt / Rc. Застосування: пристрої відтворення звуку, системи спостереження, різні пристрої автоматики. Схема включення фоторезисторів: При певному освітленні опір фотоелемента зменшується, а, отже, сила струму в ланцюзі зростає, досягаючи значення, достатнього для роботи якого-небудь пристрою (схематично показано у вигляді деякого опору навантаження). СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ Бєлов І. Ф., Дризго Є. В. Довідник з радіодеталей. М., "Радянське радіо", 1973. 2. Шифман Д. Х. Системи автоматичного управління. М., "Енергія", 1965.