Дослідження біполярного транзистора 2

[ виправити ] текст може містити помилки, будь ласка перевіряйте перш ніж використовувати.

скачати

Лабораторна робота 1
Тема: "Дослідження біполярного транзистора"
Мета: Отримання вхідних і вихідних характеристик транзистора.
Прилади й елементи: біполярний транзистор 2N3904, джерело постійної ЕРС, джерело змінної ЕРС, амперметри, вольтметри, осцилограф, резистори.
Хід роботи:
1. Отримання вихідної характеристики транзистора в схемі з ОЕ.
а) У схемі (рис. 1) провели вимірювання струму колектора I К для кожного значення Е К і Е Б і заповнили таблицю 1 у розділі «Результати експериментів». За даними таблиці побудували графік залежності I К від Е до.
б) Побудували схему, зображену на рис. 2. Включили схему. Замалювали осцилограму вихідної характеристики, дотримуючись масштаб, у розділі «Результати експериментів». Повторили вимірювання для кожного значення Е Б з таблиці 1. Осцилограми вихідних характеристик для різних струмів бази замалювали в розділі «Результати експериментів» на одному графіку.

Малюнок 1. - Схема біполярного транзистора з ОЕ

в) За вихідний характеристиці знайшли коефіцієнт передачі струму рас при зміні базового струму з 10 μА до 30 μА, Е к = 10 В. - Результат записали в розділ «Результати експериментів».
Таблиця 1. - Результати експериментів
Ek
Eb
Ib (mkA)
0,1
0,5
1
5
10
20
1,66
9.245
0,783
1,604
1,622
1,673
1,749
1,901
2,68
19.23
1,656
3,453
3,469
3,595
3,753
4,069
3,68
29.11
2,479
5,209
5,233
5,422
5,657
6,129
4,68
39.02
3,269
6,903
6,934
7,182
7,493
8,115
5,7
49.15
4,042
8,656
8,606
8,914
9,29
10,07

Малюнок 2. - Графік залежності струму від напруги
2. Отримання вхідної характеристики транзистора в схемі з ОЕ.
а) На схемі (рис. 1) встановили значення напруги джерела Е до рівним 10 В і провели вимірювання струму бази i Б, напруги база-емітер U6е, струму емітера I Е для різних значень напруги джерела Eg відповідно до таблиці 10.2 в розділі « Результати експериментів ». Звернули увагу, що колекторний струм, приблизно дорівнює струму в ланцюзі емітера.
б) У розділі «Результати експериментів» за даними таблиці 2 побудували графік залежності струму бази від напруги база-емітер.
в) Побудували схему, зображену на рис 3. Включили схему. Замалювали вхідну характеристику транзистора, дотримуючись масштаб, у розділі «Результати експериментів»

Малюнок 3. - Схема біполярного транзистора з ОЕ.
г) По вхідний характеристиці знайшли опір r ВХ при зміні базового струму з 10 μA до 30 μА Результат записали в розділ «Результати експериментів».

Малюнок 4. - Показання осцилографа
Таблиця 2. - Результати експериментів

1,66
2,68
3,68
4,68
5,7

9,245
19,23
29,11
39,02
49,15
Uбе
735,5
757,1
769,3
778,2
785,3
Ik
1,749
3,753
5,657
7,493
9,299


Малюнок 5. - Графік залежності струму від напруги

Малюнок 6. - Схема біполярного транзистора з ОЕ

Малюнок 7. - Показання осцилографа
Додати в блог або на сайт

Цей текст може містити помилки.

Фізика та енергетика | Лабораторна робота
29.6кб. | скачати


Схожі роботи:
Дослідження біполярного транзистора 3
Дослідження біполярного транзистора
Виготовлення біполярного транзистора
Виготовлення біполярного транзистора
Модель біполярного транзистора
Нелінійні та лінійні моделі біполярного транзистора
Фізико-топологічна модель інтегрального біполярного п-р-п-транзистора
Моделювання розподілу домішок у базі дрейфового біполярного
Історія винаходу транзистора
© Усі права захищені
написати до нас