Міністерство загальної та професійної освіти
Російської Федерації
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ УНІВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛІННЯ ТА РАДІОЕЛЕКТРОНІКИ(ТУСУР)
Кафедра радіоелектроніки та захисту інформації (РЗИ)Антенний підсилювач з підйомом АЧХ.
Пояснювальна записка до курсового
проекту з дисципліни «Схемотехніка аналогових електронних пристроїв»
Виконав
студент гр.148-3
______Размолодін Д.Б.
Перевірив
викладач каф. РЗИ
______Тітов А.А.
2001
Зміст
1.Вступ ............................................... ........................................... 3
2.Технічні завдання .............................................. ........................ 4
3.Расчетная частина ... ............................................. .............................. 5
3.1 Структурна схема підсилювача ........................................... ... .. 5
3.2 Розподіл лінійних спотворень в області ВЧ ........ ... .5
3.3 Розрахунок вихідного каскаду ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............ 5
3.3.1 Вибір робочої точки ............................................ ...... 5
3.3.2 Вибір транзистора ............................................. ......... 6
3.3.3 Розрахунок еквівалентної схеми
транзистора ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............... 7
3.3.4 Розрахунок ланцюгів термостабілізації ... ... ... ... ... ........... 9
3.4 Розрахунок вхідного каскаду
по постійному струму. ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............. 14
3.4.1 Вибір робочої точки ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............. 14
3.4.2 Вибір транзистора ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............. 15
3.4.3 Розрахунок еквівалентної схеми
транзистора ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............. 15
3.4.4 Розрахунок ланцюгів термостабілізації. ... ... ... ... ............ 16
3.5 Розрахунок коригувальних ланцюгів ... ... ... ... ... ... ... ... .............. 17
3.5.1 Вихідна коригувальна ланцюг ... ... ... ... ............. 17
3.5.2 Розрахунок межкаскадной КЦ ... ... ... ... ... ... ... ... .......... 18
3.5.3 Розрахунок вхідний КЦ ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............ 21
3.6 Розрахунок розділових і блокувальних ємностей ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ............... 23
4 Висновок ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... .... ... ... ... ... 26
Література
1.Вступ
У цій роботі потрібно розрахувати антенний підсилювач з підйомом амплітудно-частотної характеристики. Необхідність підсилювати сигнал, що приймається антеною, виникає через те, що досить великі втрати в кабелі, що зв'язує антену і приймальний пристрій. До того ж втрати значно зростають із зростанням частоти.
Для того, щоб компенсувати ці втрати сигнал після прийому попередньо підсилюють, а потім направляють в приймальний тракт. При цьому підсилювач повинен мати підйом АЧХ в області високих частот. У даній роботі було потрібно забезпечити підйом рівний 6дБ на октаву.
При проектуванні будь-якого підсилювача основною складністю є забезпечення заданого посилення в робочій смузі частот. У даному випадку смуга частот становить 400-800 МГц. З урахуванням того, що підсилювальні властивості транзисторів значно погіршуються зі зростанням частоти, то розробка пристрою з підйомом АЧХ на таких частотах є непростим завданням.
Найбільш ефективним є використання в даному випадку міжкаскадних коригувальних ланцюгів 4-го порядку. Така ланцюг дозволяє робити коефіцієнт підсилення з підйомом до 6 дБ у смузі частот від 0 до fв, що дуже важливо для даного пристрою. Використання цих коригувальних ланцюгів дає можливість брати транзистори з граничною частотою, тобто менш дорогі, без погіршення параметрів всього підсилювача.
2. Технічне завдання
Підсилювач повинен відповідати наступним вимогам:
1. Робоча смуга частот: 400-800 МГц
2. Лінійні спотворення
в області нижніх частот не більше 3 дБ
в області верхніх частот не більше 3 дБ
3. Коефіцієнт посилення 25 дБ з підйомом області верхніх частот 6 дБ
4. Амплітуда вихідного напруги Uвих = 2.5 В
5. Діапазон робочих температур: від +10 до +60 градусів Цельсія
6. Опір джерела сигналу і навантаження Rг = Rн = 50 Ом
3. Розрахункова частина
3.1 Структурна схема підсилювача.
Враховуючи те, що каскад із загальним емітером дозволяє отримувати посилення до 20 дБ, оптимальне число каскадів даного підсилювача дорівнює двом. Попередньо розподілимо на кожен каскад по 15 дБ. Таким чином, коефіцієнт передачі пристрою складе 30 дБ, з яких 25 дБ необхідні за завданням, а 5 дБ будуть запасом посилення.
Структурна схема, представлена на малюнку 3.1, містить крім підсилювальних каскадів коригувальні ланцюга, джерело сигналу і навантаження.
Малюнок 3.1
3.2 Розподіл лінійних спотворень у
області ВЧ
Розрахунок підсилювача будемо проводити виходячи з того, що викривлення розподілені наступним чином: вихідна КЦ-1 дБ, вихідний каскад з межкаскадной КЦ-1.5 дБ, вхідний каскад з вхідною КЦ-0.5 дБ. Таким чином, максимальна нерівномірність АЧХ підсилювача не перевищить 3 дБ.
3.3 Розрахунок вихідного каскаду
3.3.1 Вибір робочої точки
Координати робочої точки можна приблизно розрахувати за такими формулами [1]:
, (3.3.1)
де (3.3.2)
, (3.3.3)
де - Початкова напруга нелінійного ділянки вихідних
характеристик транзистора, .
Так як в обраній мною схемі вихідного каскаду опір колектора відсутня, то. Розраховуючи за формулами 3.3.1 і 3.3.3, отримуємо такі координати робочої точки:
мА,
В.
Знайдемо потужність, що розсіюється на колекторі мВт.
3.3.2 Вибір транзистора
Вибір транзистора здійснюється з урахуванням наступних граничних параметрів:
1. граничної частоти підсилення транзистора по струму в схемі з ОЕ
;
2. гранично допустимої напруги колектор-емітер
;
3. гранично допустимого струму колектора
;
4. граничної потужності, що розсіюється на колекторі
.
Цим вимогам повністю відповідає транзистор КТ996Б-2. Його основні технічні характеристики наведені нижче.
Електричні параметри:
1. Гранична частота коефіцієнта передачі струму в схемі з ОЕ МГц;
2. Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку пс;
3. Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з ОЕ;
4. Ємність колекторного переходу при У пФ;
5. Індуктивність виведення бази нГн;
6. Індуктивність виведення емітера нГн.
Граничні експлуатаційні дані:
1. Постійна напруга колектор-емітер В;
2. Постійний струм колектора мА;
3. Постійна розсіює потужність колектора Вт;
4. Температура переходу К.
Навантажувальні прямі по змінному і постійному струмі для вихідного каскаду представлені на малюнку 3.2. Напруга живлення вибрано рівним 10В.
Малюнок 3.2
3.3.3 Розрахунок еквівалентної схеми транзистора
Оскільки робочі частоти підсилювача помітно більше частоти, то з еквівалентній схеми можна виключити вхідну ємність, так як вона не впливає на характер вхідного опору транзистора. Індуктивність ж висновків транзистора навпаки робить істотний вплив і тому повинна бути включена в модель. Еквівалентна високочастотна модель представлена на малюнку 3.3. Опис такої моделі можна знайти в [2].
Малюнок 3.3
Параметри еквівалентної схеми розраховуються за наведеними нижче формулами.
Вхідна індуктивність:
, (3.3.3)
де -Індуктивності висновків бази і емітера.
Вхідний опір:
, (3.3.4)
де , Причому, і - довідкові дані.
Крутизна транзистора:
, (3.3.5)
де ,, .
Вихідний опір:
. (3.3.6)
Вихідна ємність:
. (3.3.7)
У відповідність з цими формулами одержуємо такі значення елементів еквівалентної схеми:
нГн;
пФ;
Ом
Ом;
А / В;
Ом;
пФ.
3.3.4 Розрахунок ланцюгів термостабілізації
Існує кілька варіантів схем термостабілізації. Їх застосування залежить від потужності каскаду і від того, наскільки жорсткі вимоги до термостабільності. У даній роботі розглянуті три схеми термостабілізації: пасивна колекторна, активна колекторна і емітерна.
3.3.4.1 Пасивна колекторна термостабилизация
Даний вид термостабілізації (схема представлена на малюнку 3.4) використовується на малих потужностях і менш ефективний, ніж дві інші, тому що напруга негативного зворотного зв'язку, що регулює струм через транзистор подається на базу через базовий дільник.
Малюнок 3.4
Розрахунок, докладно описаний в [3], полягає в наступному: вибираємо напруга (в даному випадку В) і струм дільника (в даному випадку , Де - струм бази), потім знаходимо елементи схеми за формулами:
; (3.3.8)
, (3.3.9)
де - Напруга на переході база-емітер рівне 0.7 В;
. (3.3.10)
Отримаємо наступні значення:
Ом;
Ом;
Ом.
3.3.4.2 Активна колекторна термостабилизация
Активна колекторна термостабилизация використовується в потужних каскадах і є дуже ефективною, її схема представлена на малюнку 3.5. Її опис і розрахунок можна знайти в [2].
Малюнок 3.5
Як VT1 візьмемо КТ315А. Вибираємо падіння напруги на резисторі з умови (Нехай В), потім виробляємо наступний розрахунок:
; (3.3.11)
; (3.3.12)
; (3.3.13)
; (3.3.14)
, (3.3.15)
де - Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з ПРО транзистора КТ315А;
; (3.3.16)
; (3.3.17)
. (3.3.18)
Отримуємо наступні значення:
Ом;
мА;
В;
кОм;
А;
А;
кОм;
кОм.
Величина індуктивності дроселя вибирається таким чином, щоб змінна складова струму не заземлювати через джерело живлення, а величина блокувальною ємності - таким чином, щоб колектор транзистора VT1 по змінному струму був заземлений.
3.3.4.3 емітерна термостабилизация
Для вихідного каскаду обрана емітерна термостабилизация, схема якої наведена на малюнку 3.6. Метод розрахунку та аналізу емітерний термостабілізації докладно описаний в [3].
Малюнок 3.6
Розрахунок проводиться за такою схемою:
1.Вибіраются напруга емітера і струм дільника (див. рис. 3.4), а також напруга живлення;
2. Потім розраховуються .
3. Проводиться перевірка - чи буде схема термостабільна при вибраних значеннях і . Якщо ні, то знову здійснюється підбір і .
У даній роботі схема є термостабільної при В і мА. Враховуючи те, що в колекторному ланцюзі відсутній резистор, то напруга живлення розраховується за формулою В. Розрахунок величин резисторів проводиться за наступними формулами:
; (3.3.19)
; (3.3.20)
. (3.3.21)
Для того, щоб з'ясувати чи буде схема термостабільної проводиться розрахунок наведених нижче величин.
Тепловий опір перехід - навколишнє середовище:
, (3.3.22)
де , - Довідкові дані;
К - нормальна температура.
Температура переходу:
, (3.3.23)
де К - температура навколишнього середовища (в даному випадку взята максимальна робоча температура підсилювача);
- Потужність, що розсіюється на колекторі.
Некерований струм колекторного переходу:
, (3.3.24)
де - Відхилення температури транзистора від нормальної;
лежить в межах А;
- Коефіцієнт, що дорівнює 0.063-0.091 для германію і 0.083-0.120 для кремнію.
Параметри транзистора з урахуванням зміни температури:
, (3.3.25)
де одно 2.2 (мВ / градус Цельсія) для германію і
3 (мВ / градус Цельсія) для кремнію.
, (3.3.26)
де (1 / градус Цельсія).
Визначимо повний постійний струм колектора при зміні температури:
, (3.3.27)
де
. (3.3.28)
Для того щоб схема була термостабільна необхідне виконання умови:
,
де . (3.3.29)
Розраховуючи за наведеними вище формулами, отримаємо такі значення:
Ом;
Ом;
Ом;
Ом;
До;
До;
А;
Ом;
;
Ом;
А;
А.
Як видно з розрахунків умова термостабільності виконується.
3.4 Розрахунок вхідного каскаду по постійному струму
3.4.1 Вибір робочої точки
При розрахунку необхідного режиму транзистора проміжних і вхідного каскадів по постійному току слід орієнтуватися на співвідношення, наведені в пункті 3.3.1 з урахуванням того, що замінюється на вхідний опір наступного каскаду. Але, при малосигнальний режимі, за основу можна брати типовий режим транзистора (зазвичай для малопотужних ВЧ і НВЧ транзисторів мА і В). Тому координати робочої точки виберемо наступні мА, В. Потужність, що розсіюється на колекторі мВт.
3.4.2 Вибір транзистора
Вибір транзистора здійснюється відповідно до вимог, наведених у пункті 3.3.2. Цим вимогам відповідає транзистор КТ371А. Його основні технічні характеристики наведені нижче.
Електричні параметри:
1. гранична частота коефіцієнта передачі струму в схемі з ОЕ ГГц;
2. Постійна часу ланцюга зворотного зв'язку нс;
3. Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з ОЕ;
4. Ємність колекторного переходу при У пФ;
5. Індуктивність виведення бази нГн;
6. Індуктивність виведення емітера нГн.
Граничні експлуатаційні дані:
1. Постійна напруга колектор-емітер В;
2. Постійний струм колектора мА;
3. Постійна розсіює потужність колектора Вт;
4. Температура переходу К.
3.4.3 Розрахунок еквівалентної схеми транзистора
Еквівалентна схема має той же вигляд, як і схема представлена на малюнку 3.3. Розрахунок її елементів проводиться за формулами, наведеними в пункті 3.3.3.
нГн;
пФ;
Ом
Ом;
А / В;
Ом;
пФ.
3.4.4 Розрахунок ланцюга термостабілізації
Для вхідного каскаду також обрано емітерна термостабилизация, схема якої наведена на малюнку 3.7.
Малюнок 3.7
Метод розрахунку схеми ідентичний наведеному в пункті 3.3.4.3 з тією лише особливістю що присутнє, як видно з малюнка, опір в ланцюзі колектора . Це опір є частиною коректує ланцюга і розрахунок описаний у пункті 3.5.2.
Ця схема термостабільна при В і мА. Напруга харчування розраховується за формулою В.
Розраховуючи за формулами 3.3.19-3.3.29 отримаємо:
кОм;
кОм;
кОм;
кОм;
До;
До;
А;
кОм;
;
Ом;
мА;
мА.
Умова термостабільності виконується.
3.4 Розрахунок коригувальних ланцюгів
3.4.1 Вихідна коригувальна ланцюг
Розрахунок всіх КЦ проводиться відповідно до методики описаної в [4]. Схема вихідний коректує ланцюга представлена на малюнку 3.8. Знайдемо - Вихідний опір транзистора нормоване щодо і.
(3.5.1)
.
Малюнок 3.8
Тепер по таблиці наведеної в [4] знайдемо найближчим до обчисленого значення і виберемо відповідні йому нормовані величини елементів КЦ і , А також-коефіцієнт, що визначає величину відчутного опору навантаження і модуль коефіцієнта відбиття .
Знайдемо істинні значення елементів за формулами:
; (3.5.2)
; (3.5.3)
. (3.5.4)
нГн;
пФ;
Ом.
Розрахуємо частотні спотворення в області ВЧ, що вносяться вихідний ланцюгом:
, (3.5.5)
,
або дБ.
3.5.2 Розрахунок межкаскадной КЦ
Схема МКЦ представлена на малюнку 3.9. Це коригувальна ланцюг четвертого порядку, нормовані значення її елементів вибираються з таблиці, яку можна знайти в [4], виходячи з необхідної форми і нерівномірності АЧХ. Потрібно врахувати, що елементи, наведені в таблиці, формують АЧХ в діапазоні частот від 0 до , А в даній роботі кожна КЦ повинна давати підйом 3дБ на октаву. Отже, щоб забезпечити такий підйом потрібно вибирати елементи, які дають підйом 6дБ в діапазоні від 0 до.
Малюнок 3.9
Нормовані значення елементів КЦ, наведені нижче, обрані для випадку, коли нерівномірність АЧХ ланцюга не перевищує ± 0.5дБ.
Ці значення розраховані для випадку, коли ємність ліворуч від КЦ дорівнює 0, а праворуч - ¥. Зробимо перерахунок значень за наведеними нижче формулами [4] з урахуванням того, що ємність ліворуч дорівнює вихідний ємності транзистора VT1.
, (3.5.6)
, (3.5.7)
, (3.5.8)
, (3.5.9)
. (3.5.10)
У формулах 3.5.6-3.5.10 - Це нормована вихідна ємність транзистора VT1. Нормировка проведена щодо вихідного опору VT1 і циклічної частоти:
.
Отримуємо наступні перелічені значення:
Всі величини нормовані щодо верхньої циклічної частоти і вихідного опору транзістораVT1. Після денормірованія отримаємо такі значення елементів КЦ:
мкГн;
Ом;
пФ;
пФ;
нГн.
При підборі номіналів індуктивність слід зменшити на величину вхідний індуктивності транзистора. Потрібно також відзначити, що і стоять в колекторному ланцюзі вхідного каскаду.
Знайдемо сумарний коефіцієнт передачі коректує ланцюга і транзистора VT2 в області середніх частот за формулою [2]:
, (3.5.7)
де - Коефіцієнт підсилення транзистора по потужності в режимі двостороннього узгодження;
- Нормоване щодо вихідного опору транзистора VT1 вхідний опір каскаду на транзисторі VT2, рівне паралельному включенню вхідного опору транзистора і опору базового дільника .
;
Ом;
.
Коефіцієнт посилення дорівнює:
або дБ.
Нерівномірність коефіцієнта підсилення не перевищує 1дБ.
3.5.3 Розрахунок вхідний КЦ
Схема вхідний КЦ представлена на малюнку 3.10. Її розрахунок, а також табличні значення аналогічні описаним в пункті 3.5.1. Відмінність в тому, що табличні значення не вимагають перерахунку, так як ємність ліворуч від КЦ дорівнює 0, а праворуч - ¥. Тому денорміровав ці значення ми відразу отримаємо елементи КЦ. Денорміруем величини відносно опору генератора сигналу і . Розрахунок такий ланцюга також можна знайти в [4].
Малюнок 3.10
Табличні значення (спотворення в області ВЧ не більше ± 0.5 дБ):
Після денормірованія отримуємо такі величини:
нГн;
Ом;
пФ;
пФ;
нГн.
Індуктивність практично дорівнює вхідний індуктивності транзистора VT1, тому її роль будуть виконувати висновки транзистора.
Розрахунок сумарного коефіцієнта передачі коректує ланцюга і транзистора VT1 в області середніх частот зробимо за формулою 3.5.7, замінивши на, яке знаходиться за аналогічним формулами, і, взявши коефіцієнт підсилення по потужності:
.
Потрібно не забувати, що всі нормовані величини в цьому пункті нормовані відносно.
Ом;
Отримаємо коефіцієнт підсилення:
або дБ.
Нерівномірність коефіцієнта підсилення не перевищує 1дБ. Таким чином, сумарні спотворення в області ВЧ не перевищать 2.5дБ.
Коефіцієнт передачі всього підсилювача:
дБ.
3.6 Розрахунок розділових і блокувальних ємностей
На малюнку 3.11 наведена принципова схема підсилювача. Розрахуємо номінали елементів позначених на схемі. Розрахунок проводиться у відповідності з методикою описаної в [1]
Малюнок 3.11
Розрахуємо опір і ємність фільтра за формулами:
, (3.6.1)
де - Напруга живлення підсилювача дорівнює напрузі харчування вихідного каскаду;
- Напруга живлення вхідного каскаду;
- Відповідно колекторний, базовий струми і струм дільника вхідного каскаду;
, (3.6.2)
де - Нижня гранична частота підсилювача.
кОм;
пФ.
Дросель в колекторному ланцюзі вихідного каскаду ставиться для того, щоб вихід транзистора по змінному струмі не був заземлений. Його величина вибирається виходячи з умови:
. (3.6.3)
мкГн.
Так як ємності, що стоять в еміттерние ланцюгах, а також розділові ємності вносять спотворення в області нижніх частот, то їх розрахунок слід робити, керуючись допустимим коефіцієнтом частотних спотворень. У даній роботі цей коефіцієнт становить 3дБ. Всього ємностей три, тому можна розподілити на кожну з них по 1дБ.
Знайдемо постійну часу, відповідну нерівномірності 1дБ за формулою:
, (3.6.4)
де - Допустимі спотворення в разах.
нс.
Блокувальні ємності і можна розрахувати за загальною формулою, взявши для кожної відповідну крутизну.
. (3.6.5)
пФ;
пФ.
Величину розділового конденсатора знайдемо за формулою:
, (3.6.6)
де - Вихідний опір транзистора VT2.
пФ.
4. Висновок
Розрахований підсилювач має наступні технічні характеристики:
1. Робоча смуга частот: 400-800 МГц
2. Лінійні спотворення
в області нижніх частот не більше 3 дБ
в області верхніх частот не більше 2.5 дБ
3. Коефіцієнт посилення 30дБ з підйомом області верхніх частот 6 дБ
4. Амплітуда вихідного напруги Uвих = 2.5 В
5. Харчування однополярне, Eп = 10 В
6. Діапазон робочих температур: від +10 до +60 градусів Цельсія
Підсилювач розрахований на навантаження Rн = 50 Ом
Підсилювач має запас по посиленню 5Дб, це потрібно для того, щоб у разі погіршення, в силу якихось причин, параметрів окремих елементів коефіцієнт передачі підсилювача не опускався нижче заданого рівня, визначеного технічним завданням.
РТФ КП 468730.001.ПЗ | |||||||||||
Літ | Маса | Масштаб | |||||||||
Змін | Лист | Nдокум. | Підпис. | Дата | АНТЕНИ | ||||||
Виконав | Размолодін | УCІЛІТЕЛЬ | |||||||||
Перевірив | Тітов | ||||||||||
Лист | Листів | ||||||||||
ТУСУР РТФ | |||||||||||
Принципова | Кафедра РЗИ | ||||||||||
схема | гр. 148-3 | ||||||||||
Позиція Позна. | Найменування | Кількість | Примітка |
Конденсатори ОЖ0.460.203 ТУ |
С1 | КД-2-22пФ ± 5% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
С2 | КД-2-27пФ ± 5% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
С3 | КД-2-7, 5пФ ± 5 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
С4 | КД-2-91пФ ± 5% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
C5 | КД-2-1, 2пФ ± 5% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
С6 | КД-2-0, 5пФ ± 5% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
С7 | КД-2-510пФ ± 5% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
С8 | КД-2-5, 1пФ ± 5% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
С9 | КД-2-2, 7пФ ± 5% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
Котушки індуктивності | 1 | |||||||||||||||||||||||||
L1 | Індуктивність 11нГн ± 10% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
L2 | Індуктивність 1,75 нГн ± 10% | 1 | Роль цієї індуктивності виконують висновки транзистора | |||||||||||||||||||||||
L3 | Індуктивність 0,11 мкГн ± 10% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
L4 | Індуктивність 51,5 нГн ± 10% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
L5 | Індуктивність 20мкГн ± 10% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
L6 | Індуктивність 9,1 нГн ± 10% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
Резистори ГОСТ 7113-77 | ||||||||||||||||||||||||||
R1 | МЛТ-0 ,125-27Ом ± 10% | |||||||||||||||||||||||||
R2 | МЛТ-0 ,125-2, 4ком ± 10% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
R3 | МЛТ-0 ,125-1, 5кОм ± 10% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
R4 | МЛТ-0 ,125-1, 3кОм ± 10% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
R5 | МЛТ-0 ,125-270Ом ± 10% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
R6 | МЛТ-0 ,125-1кОм ± 10% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
R7 | МЛТ-0 ,125-820Ом ± 10% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
R8 | МЛТ-0 ,125-560Ом ± 10% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
R9 | МЛТ-0 ,125-91Ом ± 10% | 1 | ||||||||||||||||||||||||
Транзистори | ||||||||||||||||||||||||||
VT1 | КТ371А | 1 | ||||||||||||||||||||||||
VT2 | КТ996Б-2 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
РТФ КП 468730.001 ПЗ | ||||||||||||||||||||||||||
Літ | Маса | Масштаб | ||||||||||||||||||||||||
Змін | Лист | Nдокум. | Підпис. | Дата | АНТЕНИ | |||||||||||||||||||||
Виконав | Размолодін | ПІДСИЛЮВАЧ | У | |||||||||||||||||||||||
Перевір. | Тітов | |||||||||||||||||||||||||
Лист | Листів | |||||||||||||||||||||||||
ТУСУР РТФ | ||||||||||||||||||||||||||
Перелік елементів | Кафедра РЗИ | |||||||||||||||||||||||||
гр. 148-3 | ||||||||||||||||||||||||||
Література
1. Красько О.С., Проектування підсилюючих пристроїв, методичні вказівки
2. Титов А.А. Розрахунок коригувальних ланцюгів широкосмугових підсилюючих каскадів на біполярних транзисторах - http://referat.ru/download/ref-2764.zip
3. Болтовский Ю.Г., Розрахунок ланцюгів термостабілізації електричного режиму транзисторів, методичні вказівки
4. Титов А.А., Григор'єв Д.А., Розрахунок елементів високочастотної корекції підсилювальних каскадів на польових транзисторах, навчально-методичний посібник