Програма повинна містити

Ім'я файлу: Транзистор_курсач.docx
Розширення: docx
Розмір: 852кб.
Дата: 11.05.2021
скачати
Пов'язані файли:
Лабораторна робота.docx

Завдання №13

На курсовий проект

Студента групи РА-191

По курсу «Комп’ютерно-програмні засоби в інженерії»

Написати програму для розрахунку підсилювальної схеми на польовому транзисторі

Програма повинна містити:

1. Зображення схеми транзисторного каскаду (не менше 6-ти елементів або декілька схем, щоб елементів було не менше).

2. На схемі обов’язково повинні бути транзистори, резистори та конденсатори.

3. Розрахувати по параметрах номінали елементів схеми та наносити їх на схему.

4. Обов’язкові параметри: вхідна напруга, напруга живлення, опір навантаження, коефіцієнт підсилення схеми, необхідні для розрахунку параметрів транзистора.

5. Мати допомогу по користуванню програмою з формулами.

6. Зберегти розраховану схему у форматі *.рсх.

Завдання видав:___(к.т.н. доцент Ревко А.С.)

Завдання прийняв:_

Зміст

2. ОПИС АЛГОРИТМУ 8

3. АЛГОРИТМ У ВИГЛЯДІ БЛОК-СХЕМИ 13

4. ТЕКСТ ПРОГРАМИ 14

4.1. Лістинг файлу mainwindow.h 14

4.2. Лістинг файлу main.cpp 15

4.3. Лістинг файлу main.cpp 15

4.4. Лістинг файлу mainwindow.ui 18

5. КОМЕНТАРІ ДО ПРОГРАМИ 32

6. ТЕСТИ ТА КЕРІВНИЦТВО ДЛЯ КОРИСТУВАЧА ПРОГРАМИ 33

ВИСНОВКИ 35

СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ 37

Електронним підсилювачем називають пристрій, що перетворює енергію джерела живлення в енергію вихідного сигналу, який за формою аналогічний вхідного сигналу, але перевершує його по потужності. Цей процес перетворення здійснюється за допомогою керованих нелінійних елементів. У каскадах електронних підсилювачів різного призначення в якості керованого елемента широко використовуються біполярні і польові транзистори, тому електронні підсилювачі з такими елементами називають транзисторними.

Вихідними даними для розрахунку можуть бути різні параметри, наприклад, вихідна потужність P_ВИХ, опір навантаження R_Н, максимальна напруга на навантаженні U_Нm, максимальний струм в навантаженні I_Нm. Знаючи будь-яку пару заданих параметрів, при необхідності можна знайти інші з наступних співвідношень:

Для нормальної роботи будь-якого підсилювального каскаду необхідно встановити певні струми і напруги у вхідний і вихідний ланцюгах транзистора при відсутності вхідного сигналу. Такий режим називають режимом спокою.

Точка, координати якої на вольт-амперних характеристиках транзистора визначають напруги і струми в його електродах, називається робочою. При відсутності вхідного сигналу ця точка називається вихідної робочої точкою (В.Р.Т.). вихідна робоча точка визначає режим роботи транзистора по постійному струму. Напруги і струми, а також зовнішні по відношенню до підсилювальному приладу електричні ланцюги, що забезпечують задане положення вихідної робочої точки, називаються відповідно напруженнями спокою, струмами спокою і ланцюгами зсуву.

Польовими транзисторами (ПТ) називають напівпровідникові прилади, в яких управління вихідним струмом здійснюється за допомогою поперечного електричного поля, створюваного вхідним сигналом в товщі напівпровідника. Електричне поле називається поперечним, якщо вектор напруженості цього поля перпендикулярний вектору швидкості носіїв заряду. ПТ називають також уніполярними, оскільки струм в них переноситься тільки основними носіями заряду одного знаку: електронами або дірками.

Розрізняють два типу ПТ: 1) з керуючим p-n-переходом, 2) з ізольованим затвором (МДП-транзістор1). МДП-транзистори поділяють на транзистори з вбудованим каналом та з індукованим каналом.

Далі розглядаються ПТ з керуючим p-n-переходом і підсилювальні каскади на їх основі.

Ідеалізована структура ПТ з керуючим p-n-переходом показана на рис. 1.1 на прикладі ПТ з каналом n-типу. Там же наведена схема підключення до транзистора зовнішніх джерел напруги U_ЗІ і U_СІ, необхідних для завдання робочого режиму ПТ.

Рис. 1.1. Структура провідності польового транзистору.

В основі структури ПТ лежить напівпровідникова пластина n- або p-типу, на бічних гранях якої є області з протилежним типом провідності. На межах цих областей з рештою напівпровіднику утворюються p-n-переходи. Для ПТ з каналом n-типу (рис. 1.1) напівпровідникова пластина має провідність n-типу, а її бічні області - провідність p-типу. Області p-n-переходів на рис. 1 за-штрихованої. На поверхню пластини наносяться металеві електроди, які утворюють контакти з нижче розташованими областями напівпровідника. Два електрода нанесені на лівий і правий торці напівпровідникової пластини, що має основний тип провідності, як показано на рис. 1.1

Ці електроди називають витоком (І) і стоком (С). Інші електроди нанесені на області протилежного типу провідності (тип p+ на рис.1.1) і електрично з'єднані між собою. Ці електроди разом з областями протилежного типу провідності утворюють затвор (З). Обсяг пластини з основним типом провідності, що міститься між p-n-переходами, по якому дрейфують основні носії заряду, називають каналом.

Між витоком І та стоком З включають джерело постійної напруги U_СІ (рис. 1.1). Електрод, від якого дрейфують основні носії заряду під дією постійної напруги U_СІ, є джерелом. Інший електрод, що збирає ці носії заряду, є стоком. Між затвором і витоком прикладається напруга U_ЗІ, яке повинно мати полярність, зворотний полярності напруги U_СІ між стоком і витоком (рис. 1.1). Це необхідно для того, щоб напруга U_ЗІ було зворотним для p-n-переходу затвора і перехід був би закритий.

Принцип дії ПВ. Польовий транзистор призначений для управління відносно великим струмом від зовнішнього джерела живлення, що перебігають по каналу транзистора, за допомогою слабкого джерела струму (напруги), що підключається до затвору ПВ. Управління струмом каналу (струмом стоку U_СІ>0) відбувається шляхом зміни зворотної напруги U_ЗІ на p-n-переході затвора.

З ростом величини |U_ЗІ| зворотної напруги між затвором і витоком зростає товщина збідненого шару p-n-переходу ПТ (заштрихована область на рис. 1.1), а поперечний переріз каналу зменшується. Отже, зростає електричний опір R_CI каналу і зменшується струм I_C, що протікає через канал під дією прикладеної до нього напруги U_СІ.

При досить великому зворотному зміщенні на затворі, коли напруга |U_ЗІ| велика, збіднений шар p-n-переходу перекриває весь канал і поперечний переріз каналу стає практично рівним нулю. У цьому випадку опір R_CI каналу дуже велике і струм у каналі (струм стоку I_C) практично дорівнює нулю. Напруга на затворі U_ЗІ, при якому струм каналу стає практично рівним нулю, називається напругою відсічення U_ЗІ = U_ЗІ_ВІДС.

Таким чином, змінюючи напругу U_ЗІ між затвором і витоком, можна регулювати струм стоку I_C (струм в каналі) ПТ. При цьому для ПТ з каналом n-типу має бути U_ЗІ <0, а для ПТ з каналом p-типу U_ЗІ > 0.

Відзначимо, що прикладена між витоком і стоком напруга U_СІ також змінює конфігурацію каналу, оскільки потенціал самого каналу змінюється від витоку до стоку під дією цієї напруги. Внаслідок цього напруга на p-n-переході поблизу стоку одно U_ЗІ -ІСІ та відрізняється від напруги U_ЗІ на переході поблизу витоку. В результаті, область збідненого шару p-n-переходу біля стоку розширюється і стає більше, ніж біля витоку (як показано заштрихованої областю на рис. 1.1). При цьому поперечний переріз каналу біля стоку буде менше, ніж близько витоку.

При використанні ПТ для посилення електричних сигналів один з його трьох виводів (електродів) є загальним для входу і виходу. В залежності від того, який вивід обраний загальним, розрізняють три схеми вмикання ПТ: з загальним витоком (ЗВ), із загальним стоком (ЗС), і з загальним затвором (ЗЗ).

Найбільшого поширення в підсилюючих пристроях отримали схеми із загальним витоком (ЗВ) та загальним стоком (ЗС). Схема вмикання із загальним затвором (ЗЗ) знаходить застосування рідше. Тому далі розглядаються основні характеристики підсилювального каскаду на ПТ, що використовують схеми з ЗВ.

Підсилювачі на польових транзисторах (ПТ) володіють великим вхідним опором. Зазвичай такі підсилювачі використовуються як перші каскади попередніх підсилювачів, підсилювачів постійного струму вимірювальної та іншої радіоелектронної апаратури.

Застосування в перших каскадах підсилювачів з великим вхідним опором дозволяє погоджувати джерела сигналу з великим внутрішнім опором з подальшими більш потужними підсилювальними каскадами, що мають невеликий вхідний опір. Підсилювальні каскади на польових транзисторах найчастіше виконуються по схемі із загальним витоком.

Мета даної роботи - створити програму на мові програмування С++ для розрахунку підсилювальної схеми на польовому транзисторі.

Об’єкт дослідження – підсилювальний каскад на польовому транзисторі з загальним витоком з керуючим p-n-переходом (ПК ПТУП ЗВ).

Предмет дослідження – програма розрахунків вихідних параметрів ПК ПТУП ЗС.

Програма повинна містити:

1. Зображення схеми транзисторного каскаду (не менше 6-ти елементів або декілька схем, щоб елементів було не менше).

2. На схемі обов’язково повинні бути транзистори, резистори та конденсатори.

3. Розрахувати по параметрах номінали елементів схеми та наносити їх на схему.

4. Обов’язкові параметри: вхідна напруга, напруга живлення, опір навантаження, коефіцієнт підсилення схеми, необхідні для розрахунку параметрів транзистора.

2. ОПИС АЛГОРИТМУ

Далі розглянемо розрахунок за постійним струмом підсилювального каскаду (ПК) на ПТ з загальним витоком (ЗВ) з керуючим p-n-переходом (ПТУП).

Польові транзистори з ПТУП мають такі вихідні промислові параметри.

Таблиця 2.1. Параметри деяких польових транзисторів з ПТУП [1].

Транзистор	S, Ма/В
КП103Е	0,4…2,4	+(0,4…1,5)	-10	0,3…2,5	120
КП103Ж	0,5…2,8	+(0,5…2,2)	-10	0,35…3,8	120
КП103И	0,8…2,6	+(0,8…3,0)	-10	0,8…1,8	120
КП103К	1,0…3,0	+(1,4…4,0)	-10	1,0…5,5	120
КП103Л	1,8…3,8	+(2…6)	-10	1,8…6,6	120
КП103М	1,3…4,4	+(2,8…7,0)	-10	3,0…12	120

На рис. 2.2. представлений ПК на польових транзисторах (ПТ) із загальним витоком (ЗВ) на ПТ з керуючим p-n-переходом (ПТУП).

Рис. 2.1. Схеми ПК ПТ з ЗВ на ПТУП [1].

У цьому каскаді транзистор VT спільно з резистором R_C утворює керований дільник напруги. За допомогою інших резисторів реалізують ланцюги, що забезпечують початковий режим роботи транзистора. Розділювальні конденсатори С₁ і С₂ слугують відповідно для запобігання проникнення постійної складової сигналу до затвору транзистора і до виходу підсилювального каскаду.

Для схеми ПК із загальним витоком на польовому транзисторі з керуючим переходом (рис.2.1) опір резистора R_C вибирають таким, щоб максимальний струм стоку не перевищував початковий струм I_Cпоч.

З метою отримання максимального посилення по напрузі в схемах підсилювальних каскадів із загальним витоком слід приймати [1]:

(2.1)

Оскільки по змінному струму резистори R_ДЖ і R_Н виявляються включеними паралельно, то

(2.2)

де «||» позначає паралельне з'єднання резисторів, тобто:

(2.3)

Після визначення максимального амплітудного значення струму стоку задають:

- струм стоку спокою

(2.4)

- напруга стік-витік спокою

(2.5)

де U_ЗИmin дорівнює напрузі відсічення U_{ЗИвідс.} польового транзистора з керуючим переходом (з p-n-затвором) (рис. 2.1).

Напруга джерела живлення для схеми ПК з ЗВ на ПТУП:

(2.6)

де

(2.7)

При завданні напруги живлення слід округляти отримане значення до більшого цілого значення.

Після завдання напруги живлення, уточнюють напругу стік-витік спокою для схеми ПК з ЗВ на ПТУП

(2.8)

Далі на сімействі вихідних вольт-амперних характеристиках (ВАХ) транзистора відзначають вихідну робочу точку (В.Р.Т.) з координатами

і знаходять напругу затвор-витік спокою U_ЗИ0 (рис. 1.3). Якщо В.Р.Т. не потрапляє до однією з показаних на графіку вихідних характеристик, застосовують метод інтерполяції, використовуючи дві найближчі до В.Р.Т. характеристики (рис. 2.2). Потім визначають максимальний струм стоку I_Cmax, для цього на вихідних ВАХ по двох точках

будують статичну лінію навантаження (СЛН) до перетину її з віссю струмів (рис. 2.2).

Рис. 2.2. Вихідні вольт-амперні характеристики польового транзистору [1].

Після вибору режиму спокою необхідно перевірити виконання умов

(2.9)

Якщо умови (0.50) не виконуються, то слід або збільшити опір резистора R_C, або зменшити напругу живлення, напруга спокою між стоком і витоком транзистора, або вибрати інший транзистор.

Необхідні значення струму стоку спокою I_C0 і напруг U_СИ0, U_ЗИ0 забезпечують за допомогою джерела живлення і резисторів ланцюгів зсуву. При цьому необхідно пам'ятати, що при використанні ПТ з каналом n-типу для управління струмом стоку в ПК на ПТУП необхідно ставити напругу затвор-витік

.

У схемі режим по постійному струму задається за допомогою резисторів R₁, R_ДЖ і джерела живлення U_ЖИВ. У цій схемі, яку називають схемою з автоматичним зсувом, за рахунок перебігу через резистор R_ДЖ струму стоку автоматично створюється зворотній зсув p-n-переходу ПТ [1]:

(2.10)

де

- потенціал витоку; U_З - потенціал затвора. Оскільки резистор R₁ забезпечує зв'язок затвора з загальним проводом, то при нескінченно малому вхідному струмі I_З можна вважати U_З≈0. Тому:

(2.11)

Крім функції автоматичного зміщення потенціалу витоку резистор R_ДЖ виконує також функцію термостабілізації режиму роботи підсилювача по постійному струму. Для виключення впливу від’ємного зворотного зв'язку по змінному сигналу резистор R_ДЖ шунтують конденсатором С_ДЖ, в діапазоні робочих частот опір якого

.

Таким чином, з виразу (1.11) випливає, що:

(2.12)

Опір резистора R₁ приймають

. (0.54)

Напруга між затвором і витоком:

(2.13)

дорівнює потенціалу затвора (потенціал витоку дорівнює нулю), який визначається за формулою

(2.14)

Переймаючись значенням R₁ || R₂(0,1…10) = МОм, (0.57)

з виразів (0.55) - (0.57) знаходимо

(2.15)

(2.16)

У схемі з загальним стоком (рис. 1.10) напруга між затвором і витоком

(2.17)

Потенціал затвора визначається виразом (1.17). При розрахунку опорів подільника напруги R₁ в залежності від застосовуваного транзистора слід керуватися співвідношенням (2.14). Тоді для ПК на ПТУП:

(2.18)

Розрахунок конденсаторів відбувається за рахунок використання формули [1]:

(2.19)

де

– величина максимально утворюваного електричного заряду на обкладинках конденсатора,

– напруга поміж обкладинками конденсатору.

(2.20)

(2.21)

(2.22)

3. АЛГОРИТМ У ВИГЛЯДІ БЛОК-СХЕМИ

Рис. 3.1. Блок-схема алгоритму розрахунку номінальних параметрів підсилювального каскаду (ПК) на ПТ з загальним витоком (ЗВ) з керуючим p-n-переходом (ПТУП) за постійним струмом.

4. ТЕКСТ ПРОГРАМИ

4.1. Лістинг файлу mainwindow.h

#ifndef MAINWINDOW_H

#define MAINWINDOW_H

#include

#include

#include

#include

#include

#include

QT_BEGIN_NAMESPACE

namespace Ui { class MainWindow; }

QT_END_NAMESPACE

class MainWindow : public QMainWindow

{

Q_OBJECT

public:

MainWindow(QWidget *parent = nullptr);

MainWindow();

private slots:

void on_pushButtonMain_clicked();

private:

Ui::MainWindow *ui;

};

#endif // MAINWINDOW_H

4.2. Лістинг файлу main.cpp

#include "mainwindow.h"

#include

int main(int argc, char *argv[])

{

QApplication a(argc, argv);

MainWindow w;

w.show();

return a.exec();

}

4.3. Лістинг файлу main.cpp

#include "mainwindow.h"

#include "ui_mainwindow.h"
MainWindow::MainWindow(QWidget *parent)

: QMainWindow(parent)

, ui(new Ui::MainWindow)

{

ui->setupUi(this);

QPixmap pic(":/images/imgonline.png");

MainWindow::ui->label->setScaledContents(true);

MainWindow::ui->label->setPixmap(pic);

}

MainWindow::MainWindow()

{

delete ui;

}

// Опис атрибутів методу on_pushButtonMain_clicked()

void MainWindow::on_pushButtonMain_clicked()

{

int enter, ku, out, c1, c2, cp, rc, r1, rp, rn, power;

//Зчитуємо значення з введеної величини вхідної напруги

// spinBox_Enter відповідає за введення з клавіатури величини вхідної напруги

QString S1 = ui->spinBox_Enter ->text();

// enter – величина вхідної напруги U_ВХ

enter = S1. toInt ();

//Зчитуємо значення з введеного коефіцієнту підсилення

// spinBox_KU відповідає за введення з клавіатури величини коефіцієнту підсилення

QString S2 = ui->spinBox_KU->text();

//Переведемо значення до числа

// ku – величина коефіцієнту підсилення K_U

ku = S2.toInt();

//Обчислемо значення вихідної напруги

// out – величина вихідної напруги U_ВИХ

out = enter*ku;

//Виведемо результат вихідної напруги

// textEdit_Out відповідає за отримання даних вихідної напруги

ui->textEdit_Out->insertPlainText(QString().number(out));

// c1 – величина номиналу конденсатору С₁

c1=enter*4;

//Виведемо номінал конденсатора С1

// textEdit_С1 відповідає за отримання даних конденсатора С1

ui->textEdit_C1->insertPlainText(QString().number(c1));

// c2 – величина номиналу конденсатору С₂

c2=out*4;

//Виведемо номінал конденсатора С2

// textEdit_С2 відповідає за отримання даних конденсатора С2

ui->textEdit_C2->insertPlainText(QString().number(c2));

// cр – величина номиналу конденсатору С_ДЖ

cp=4*12;

//Виведемо номінал конденсатора С_дж

// textEdit_CPower відповідає за отримання даних конденсатора С_дж

ui->textEdit_CPower->insertPlainText(QString().number(cp));

// spinBox_Power відповідає за введення з клавіатури величини резистора R_c

QString S3 = ui->spinBox_Power->text();

// rn – величина номиналу опору R_Н

rn = S3.toInt();

// rc – величина номиналу опору R_C

rc=rn/2;

//Виведемо номінал резистора R_c

// textEdit_ RC відповідає за отримання даних резистора R_c

ui->textEdit_RC->insertPlainText(QString().number(rc));

// r1 – величина номиналу опору R₁

r1=1000;

//Виведемо номінал резистора R1

// textEdit_ R1 відповідає за отримання даних резистора R₁

ui->textEdit_R1->insertPlainText(QString().number(r1));

// spinBox_Power відповідає за введення з клавіатури величини резистора R_c

QString S4 = ui->spinBox_Power->text();

// power – величина напруги живлення U_ЖИВ

power = S4.toInt();

// rр – величина номиналу опору R_ДЖ

rp=power/4;

//Виведемо номінал резистора R_дж

// textEdit_ RPower відповідає за отримання даних резистора R_дж

ui->textEdit_RPower->insertPlainText(QString().number(rp));

}

4.4. Лістинг файлу mainwindow.ui

MainWindow

0

0

800

598

Розрахунок схеми з ПТ

70

90

551

411

:/images/imgonline.png
true

10

0

661

81

14

<html><head/><body>

Розрахунок підсилювального каскаду на постійному струмі на базі польового транзистора КП103М (типу ПТУП) по схемі з загальним затвором (ЗВ)</body></html>

true

440

140

71

22

14

0

12

440

120

71

21

14

Uжив, В

560

290

61

31

14

Rн, Ом

560

320

71

31

14

1000

5500

170

210

111

31

14

<html><head/><body>ПТ КП103М</body></html>

230

130

81

31

14

<html><head/><body>Rc, Ом</body></html>

240

360

81

31

14

<html><head/><body>Rдж, Ом</body></html>

450

370

71

31

14

<html><head/><body>Cдж, мкФ</body></html>

0

90

281

31

14

Коефіцієнт підсилення Кu

0

120

101

22

14

0

20

390

240

71

31

14

С2, мкФ

130

370

71

31

14

<html><head/><body>R1, Ом</body></html>

110

310

71

31

14

С1, мкФ

600

110

191

111

16

Розрахувати

номінали

схеми

30

250

61

21

14

Uвх, В

30

280

51

22

14

0

3

440

300

71

21

14

Uвих, В

450

320

51

21

14

460

400

61

21

14

230

160

91

21

14

390

270

71

21

14

110

340

71

21

14

110

400

91

21

14

250

390

71

21

14

5. КОМЕНТАРІ ДО ПРОГРАМИ

Виходячи з експериментальних даних, бажано під час тестового запуску програми вводити до відповідних комірок наступні початкові значення [1]:

Опір навантаження: Rн=5500 Ом;

Напруга живлення:U_жив=12 В;

Напруга вхідна: U_вх=3 В;

Коефіцієнт підсилення: KU=20.

Для створеного методу on_pushButtonMain_clicked() кнопки «Розрахувати номінали схеми» прописані атрибути методу, які дозволяють виводити розраховані величини номіналів до відповідних комірок інтерфейсу.

6. ТЕСТИ ТА КЕРІВНИЦТВО ДЛЯ КОРИСТУВАЧА ПРОГРАМИ

Після первинного запуску програми до 4 комірок програми (U_жив, K_U, U_вх, R_н) вводяться вхідні дані для розрахунку інших номіналів схеми ПК ПТ. Потім після натиснення кнопки «Розрахувати номінали схеми» на інших комірках з’являються розраховані дані номіналів схеми.

Рис. 5.1. Початковий вигляд інтерфейсу програми з введення тестових числових даних до відповідних комірок програми (U_жив, K_U, U_вх, R_н) до натиснення кнопки «Розрахувати номінали схеми».

Рис. 5.2. Кінцевий вигляд інтерфейсу програми після введення тестових числових даних до відповідних комірок програми (U_жив, K_U, U_вх, R_н) після натиснення кнопки «Розрахувати номінали схеми» та появи результатів обчислень інших номіналів схеми ПК ПТ.

Мінімальні вимоги до конфігурації персонального комп'ютеру:

- тип процесора Intel Pentium 1400 MHz або краще;

- обсяг оперативного запам'ятовуючого пристрою 256 Мб і більше;

- обсяг вільного місця на жорсткому диску 124 Мб;

- операційна систем Microsoft Windows XP,Vista, 7, 10.

Рекомендовані вимоги до конфігурації персонального комп'ютеру:

- тип процесора Intel Pentium 1600 MHz або краще;

- обсяг оперативного запам'ятовуючого пристрою 512 Мб і більше;

- обсяг вільного місця на жорсткому диску 475 Мб і більше;

- операційна систем Microsoft Windows XP,Vista, 7, 8, 10.

Програма розроблена на мові програмування C++.

C++ – компільована, статично типізована мова програмування загального призначення.

Підтримує такі парадигми програмування, як процедурне програмування, об'єктно-орієнтоване програмування, узагальнене програмування. Мова має багату стандартну бібліотеку, яка включає до себе поширені контейнери і алгоритми, введення-виведення, регулярні вирази, підтримку багатопоточності і інші можливості. C++ поєднує властивості як високорівневих, так і низькорівневих мов. У порівнянні з його попередником – мовою C, – найбільшу увагу приділено підтримці об'єктно-орієнтованого і узагальненого програмування [2].

Для розробки програми даної роботи використовувалося інтегроване середовище розробки Qt Creator, що включає до себе бібліотеку Qt та набір інструментального програмного забезпечення. Qt - це сукупність крос-платформової бібліотеки класів, реалізованої на мові C ++, і ряду додаткових інструментальних засобів, що включають до себе Meta Object Compiler (MOC) - об'єктний предкомпілятор, User Interface Compiler (UIC) - компілятор призначених для користувача інтерфейсів, qmake - засіб управління складанням проектів [2].

ВИСНОВКИ

Першим кроком у даній роботі розглянуті фізичні основи роботи польових транзисторів, в яких схемах найчастіше вони застосовуються. Застосування в перших каскадах підсилювачів з великим вхідним опором дозволяє погоджувати джерела сигналу з великим внутрішнім опором з подальшими більш потужними підсилювальними каскадами, що мають невеликий вхідний опір. Підсилювальні каскади на польових транзисторах найчастіше виконуються по схемі із загальним витоком.

Наступним етапом детально розглянутий розрахунок за постійним струмом підсилювального каскаду (ПК) на ПТ з загальним витоком (ЗВ) з керуючим p-n-переходом (ПТУП). На підставі розглянутої математичної моделі розрахунку складена блок-схема алгоритму програми.

На завершальній стадії в середовищі програми Qt на мові програмування С++ створюється програма розрахунку номіналів схеми підсилювача на базі польового транзистору КП103М з 4 вхідними параметрами (U_жив, K_U, U_вх, R_н). Далі був здійснений вдалий тестування програми.

В якості можливості розширення програми можна розглянуті варіанти з включенням різних марок польових транзисторів, коли розрахунок схеми підсилювача починається з вибору певної марки транзистору.

СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ

1. Чернов, А.В. Электроника и схемотехника. Аналоговые устройства: учебно-методическое пособие для лабораторных работ / А.В. Чернов, О.О. Карташов; ФГБОУ ВО РГУПС. – Ростов н/Д, 2017. – 91 с.

2. Шлее М. Qt 5.3. Профессиональное программирование на C++. — СПб.: БХВ-Петербург, 2015. - 928 с.

скачати