Ім'я файлу: Опорний конспект 1.docx
Розширення: docx
Розмір: 21кб.
Дата: 02.06.2020
Пов'язані файли:
Електроніка Опорний конспект 1.docx

Опорний конспект № 1

Тема: «Напівпровідникові прилади»


1. Напівпровідни́к — матеріал, електропровідність якого має проміжне значення між провідностями провідника та діелектрика. Відрізняються від провідників сильною залежністю питомої провідності від концентрації домішок, температури і різних видів випромінювання. Основною властивістю цих матеріалів є збільшення електричної провідності з ростом температури.

Напівпровідниками є речовини, ширина забороненої зони яких становить близько кількох електронвольт (еВ). Наприклад, алмаз можна віднести до широкозонних напівпровідників, а арсенід індію — до вузькозонних. До числа напівпровідників належать багато простих речовин хімічних елементів (германій, кремній, селен, телур,арсен та інші), величезна кількість сплавів і хімічних сполук (арсенід галію та ін.).

Класифікація напівпровідникових приладів.

НП прилади поділяються на такі групи :

  1. НП резистори.

  2. НП конденсатори

  3. НП індуктивності

  4. НП діоди

  5. Біполярні транзистори

  6. Уніполярні( польові) транзистори

  7. Тиристори

  8. Інтегральні мікросхеми

Напівпровідникові діоди

Напівпровіднико́вий діо́д (англ. semiconductor (crystal) diode) — напівпровідниковий прилад з одним випрямним електричним переходом і двома зовнішніми виводами. На відміну від інших типів діодів, принцип дії напівпровідникового діода ґрунтується на явищі p-n переходу.

Випрямним електричним переходом в напівпровідникових діодах може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник.

Загальна класифікація НП діодів

Усі напівпровідникові діоди можна поділити на дві групи: загального та спеціального призначення.

Типи напівпровідникових діодів:

  • Випрямні

  • Високочастотні

  • Імпульсні

  • Стабілітрони

  • Варикапи

  • Тунельні

Транзистори на основі напівпровідникових речовин

Транзистор –це напівпровідниковий прилад, що дозволяє управіління струмом, що протікає через нього, за допомогою прикладеної до додат-кового електрода напруги.Зазвичай транзистори застосовуються в під-силювачах і логічних електронних схемах. Розрізняють біполярні і по-льові транзистори. В біполярному транзисторі носії заряду рухаються від емітера через тонку базу до колектора. База відділена від емітора й колектора p-n переходами. Струм протікає через транзистор лише тоді, коли носії заряду інжектуються в базу через p-n перехід. В базі вони є неосновними носіями заряду й легко проникають через p-n перехід між базою й колектором, прискорюючись при цьому. В самій базі носії заряду рухаються за рахунок дифузійного механізму, тож база повинна бути досить тонкою.Принцип дії польового транзистора польвому тран-зисторі струм протікає від витоку до стоку через канал під затвором. Прикладена до затвору напруга збільшує чи зменшує ширину області збіднення, а тим самим ширину каналу, контролюючи струм.

Перспективні напівпровідникові структури.

Однорідні напівпровідникові кристали використовують для виготовлення серії приладів: терморезисторів, фоторезисторів, тензодатчиків, де реалізується залежність опору кристалу від температури, освітленості, зовнішнього тиску. Але значно ширше використовуються прилади (діоди, транзистори, фотодіоди, світлодіоди, лазери, мікросхеми, процесори ЕОМ тощо), виготовлені з використанням напівпровідникових структур: електронно-діркових переходів(p-n–переходів) і бар’єрів Шоткі. Зокрема, бар’єр Шоткі – це контакт металу і напівпровідника із спеціально підібраними роботами виходу електронів з них. Електронно-дірковий перехід – це контакт двох областей одного кристалу з різними типами провідності (p- і n-

Виконав студент 31КН групи

Савлук Роман Валерійович
скачати

© Усі права захищені
написати до нас