![]() | Изучение свойств терморезистор Приборы и принадлежности: Латунный сосуд с водой, термометр, плитка, термосопротивление, миллиамперметр, вольтметр, источник питания. 1. Краткие сведения из теорииТерморезистором называется полупроводниковый резистор, сопротивление которого в сильной степени зависит от температуры. Удельная электрическая проводимость полупроводников ![]() где ![]() ![]() В примесных (n-типа или p-типа) полупроводниках одним из слагаемых в приведенном выражении можно пренебречь. Подвижность носителей при нагревании изменяется сравнительно слабо (по степенному закону, ![]() ![]() ![]() ![]() где Nо – коэффициент, зависящий от типа и геометрических размеров полупроводника; Э – энергия активации примесей (для примесных полупроводников) или ширина запрещенной зоны (для собственных полупроводников), k – постоянная Больцмана. постояннаяВ=Э/k носит название коэффициент температурной чувствительности и приводится в паспортных данных на терморезистор. экспериментально коэффициент температурной чувствительности определяют по формуле ![]() где Т1 и Т2 – исходная и конечная температуры рабочего температурного диапазона, R1 и R2 – сопротивления терморезистора при температуре соответственно Т1 и Т2. ![]() Рис. 1 График зависимости сопротивления полупроводникового резистора от температуры. Чаще всего терморезисторы имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления R. Выпускаются также терморезисторы, имеющие в сравнительно узком интервале температур положительный R и называемые позисторами. При нагревании величина сопротивления терморезисторов убывает, а позисторов возрастает в сотни и тысячи раз. В справочниках значение R приводится для температуры 20 оС. Значения R терморезисторов для любой температуры в диапазоне 20…150 оС можно определить по формуле: ![]() терморезистор характеризуется определенной тепловой инерцией, зависящей от химических свойств полупроводника и конструкции элемента (площади излучающей поверхности). Тепловая инерция оценивается постоянной времени – временем, за которое разность между собственной температурой тела и температурой среды уменьшается в е раз. Если терморезистор, имеющий температуру о, поместить в среду с температурой со, то его температура будет изменяться с течением времени по показательному закону: ![]() С остыванием терморезистора сопротивление его увеличивается (рис. 2). Знание зависимостей R() (рис.1) и R(t) (рис. 2) позволяет, задаваясь значениями R и определяя по кривым рис. 1 и 2 соответствующие им значения и t, построить зависимость (t) и определить . ![]() Рис 2. Процесс изменения температуры и сопротивления терморезистора при его остывании 2. Описание экспериментальной установкиснятие вольтамперных характеристик выполняется по схеме, приведенной на рис.3. ![]() Рис.3. Электрическая принципиальная схема установки Измерительной цепь питается от источника постоянного регулируемого напряжения со встроенным вольтметром. Ток через терморезистор измеряется миллиамперметром. Терморезистор ММТ-4 (рис. 4) размещается в демонстрационной пробирке с клеммами (рис. 5-6), которая не позволяет горячей воде контактировать с корпусом терморезистора, в пробирку можно установить жидкостной термометр (желательно использовать ртутный термометр), для контроля температуры, непосредственно рядом с терморезистором. Переменный резистор R2 необходим, только если используется нерегулируемый блок питания. 3. Порядок выполнения работы.3.1. Снятие зависимости R(T) сопротивления терморезистора от температуры (рис. 7-9). Терморезистор помещается в сосуд с водой, которая нагревается на электроплитке. Измерить сопротивление терморезистора при различных температурах – от комнатной до максимальной, равной 90°С, с интервалом =10 °С. Выполнить измерения для терморезисторов ММТ-4 и ММТ-1 Результаты опыта занести в табл. 1.
Таблица 1. 3.2. Определение тепловой постоянной времени терморезистора. Измерив сопротивление терморезистора при 90 °С, быстро извлечь его из воды. Момент извлечения принять за t = 0. Отключить термостат. фиксируя время, измерять сопротивление терморезистора при его остывании до тех пор, пока оно не увеличится примерно в три раза. Данные измерений занести в табл. 2. Таблица 2.
Список использованной литературы: Электрорадиоматериалы. Методические указания к лабораторным работам./ Под ред. С.А.Гусева. Изд. второе пер. и доп.; Балт. гос. техн. ун -т, СПб., 2000. Пасынков В. В. Материалы электронной техники. М.: Высшая школа, 1980. Богородицкий Н. П., Пасынков В. В., Тареев Б. М. Электротехнические материалы. Л.: Энергия, 1977. Справочник по электротехническим материалам. Тт. 1 – 3/ Под ред. Д. В. Корицкого и др. Л.: Энергия, 1974—1976. |