Ім'я файлу: ЛБ-3.docx
Розширення: docx
Розмір: 87кб.
Дата: 21.04.2021
скачати
Пов'язані файли:
Вправи морфолог. норми.doc

ЗВІТ

Тема: “ Дослідження роботи біполярного транзистора ”.

Мета роботи: Закріпити отримані знання про роботу біполярного транзистора, досвідченим шляхом отримати вольт-амперні характеристики приладу.

Порядок виконання роботи

1. Програма роботи.

1.1 Змоделював з використанням пакета EWB електронну схему для зняття вхідних характеристик (В схему входять: два джерела напруги, транзистор, амперметр, заземлення, з'єднувальні лінії).



1.2. Встановив UКЕ = 0; 1; 3; 6 В і відповідно для кожного значення UКЕ, задав напругу UБЕ від 0.1 до 0.8 В. За свідченнями амперметра визначив величину струму бази Іб.

Показання приладу заніс в таблицю 3.2.

Таблица 3.1

UКЄ = 0B




UКЄ = 1B




UКЄ = 3B




UКЄ = 6B




UЄБ, B

Iб,B

UЄБ, B

Iб,B

UЄБ, B

Iб,B

UЄБ, B

Iб,B

0,1

0

0,1

23.87

0,1

784.9

0,1

2.098

0,2

0

0,2

6.693

0,2

741.5

0,2

2.054

0,3

0

0,3

243.7

0,3

699.5

0,3

2.010

0,4

0.027

0,4

1.230

0,4

657.4

0,4

1.966

0,5

5.752

0,5

5.775

0,5

615.6

0,5

1.923

0,6

1.235

0,6

12.29

0,6

574.4

0,6

1.878

0,7

245.0

0,7

2.670

0,7

533.3

0,7

1.843

0,8

6.711

0,8

482.1

0,8

492.9

0,8

1.791

2.1. Змоделював з використанням пакета EWB електронну схему для зняття вихідних характеристик біполярного транзистора. Марка транзистора аналогічна першій схемі.



2.2. Встановив струм бази і змінюючи Іб -100, 300, 500, 800 мкА. Для кожного значення струму бази Іб, задав напругу UКЕ від 0 до 10 В. За свідченнями амперметра, визначити струм колектора ІК.

Показання приладу заніс в таблицю 3.2.

Таблица 3.2

Iб = 100мкА




Iб = 300 мкА




Iб = 500 мкА




Iб = 800 мкА




UКЄ, B

IК, А

UКЄ, B

IК, А

UКЄ, B

IК, А

UКЄ, B

IК, А

0

98.63

0

293.6

0

485.6

0

768.0

1

-4,734

1

-14.02

1

-23.11

1

-32.51

2

-4,906

2

-14.67

2

-24.50

2

-39.08

3

-4,907

3

-14.68

3

-24.46

3

-39.14

4

-4,903

4

-14.68

4

-24.46

4

-39.14

5

-4,900

5

-14.68

5

-24.46

5

-39.14

6

-4,908

6

-14.68

6

-24.46

6

-39.14

7

-4,904

7

-14.68

7

-24.46

7

-39.14

8

-4,903

8

-14.68

8

-24.46

8

-39.14

9

-4,904

9

-14.68

9

-24.46

9

-39.14

10

-4,892

10

-14.68

10

-24.46

10

-39.14

3. Обробка результатів:

3.1. Побудував з використанням даних таблиць 3.1, 3.2 сімейство вхідних і вихідних характеристик.

3.2. Проаналізував отримані результати, порівняв вхідні і вихідні характеристики з ідеальними. Зробив висновки.

Відповіді на контрольні питання

1. Що таке напівпровідник «n» і «р» типу?

Відповідь:

Напівпровідни́к n-ти́пу — напівпровідник, в якому основні носії заряду — електрони провідності.

Для того, щоб отримати напівпровідник n-типу, власний напівпровідник легують донорами. Здебільшого це атоми, які мають на валентній оболонці на один електрон більше, ніж атоми напівпровідника, який легується.

2. «n» - «p» перехід і його властивості?

Відповідь:

Електронно-дірковий перехід (або n–p-перехід) – це область контакту двох напівпровідників з різними типами провідності. Основна властивість n–p-переходу - його одностороння провідність .

3. Принцип дії транзистора?

Відповідь:

Транзистором називається напівпровідниковий прилад, призначений для посилення і генерування електричних коливань. Він являє собою кристал, поміщений в корпус, забезпечений висновками. Кристал виготовляють з напівпровідникового матеріалу. За своїми електричними властивостями напівпровідники займають деяке проміжне положення між провідниками і непроводниками струму (ізоляторами). Невеликий кристал напівпровідникового матеріалу (напівпровідника) після відповідної технологічної обробки стає здатним змінювати свою електропровідність в дуже широких межах при підведенні до нього слабких електричних коливань і постійної напруги зсуву. Кристал поміщають в металевий або пластмасовий корпус і постачають трьома висновками, жорсткими або м'якими, приєднаними до відповідних зонам кристала. Металевий корпус іноді має власний висновок, але гущавина з корпусом з'єднують один з трьох електродів транзистора.

4. Що таке h - параметри і для чого вони визначаються?

Відповідь:

Гібридні параметри також згадуються як h параметрів. Вони називаються гібридними, тому що тут ZПараметри, параметри Y, коефіцієнт напруги, коефіцієнт струму, всі використовуються для представлення співвідношення між напругою і струмом в мережі двох портів. Співвідношення напруг і струму в гібридні параметри представлені як,



Визначення h параметрів

Давайте коротко замикаємо вихідний порт мережі двох портів, як показано нижче,



Тепер, співвідношення вхідної напруги до вхідного струму, при короткозамкнутому вихідному порту, є




Це називається вхідним опором короткого замикання. Тепер відношення вихідного струму до вхідного струму при короткозамкнутому вихідному порту є


Це називається посиленням струму короткого замикання мережі. Тепер давайте відкриємо ланцюг порту 1. У такому стані не буде вхідного струму (I1= 0) але напруга розімкнутого ланцюга V1 відображається через порт 1, як показано нижче,




Зараз,



Це називається зворотним посиленням напруги, оскільки,це відношення вхідної напруги до вихідної напруги мережі, але коефіцієнт підсилення напруги визначається як відношення вихідної напруги до вхідної напруги мережі.
Зараз,




Це називається відкритою схемою допуску.

5. Де застосовується транзистор?

Відповідь:

Існує ряд надпотужних транзисторів. Вони можуть працювати з навантаженням до 1.5 кВт і застосовують їх в промисловій сфері. Робоча температура таких транзисторів може досягати 200-300 градусів Цельсія.

ВИСНОВКИ: на цій лабораторній роботі я закріпив отримані знання про роботу біполярного транзистора, досвідченим шляхом отримав вольт-амперні характеристики приладу.
скачати

© Усі права захищені
написати до нас