Ескізний розрахунок курсового проекту
Приймачі безперервних сигналів
1. Розбивку діапазону частот на піддіапазони
1.Коеффіціент перекриття діапазону (показує у скільки разів максимальна несуча частота вхідного сигналу більше мінімальної):
(1)
де - Максимальна і мінімальна несуча частота вхідного сигналу.
2.Вибор елементів перебудови контурів приймача
Для контурів з зосередженими параметрами перебудову за частотою можна здійснювати:
конденсатором змінної ємності = 2,5-3
котушкою змінної індуктивності = 1,4-3
варикапом = 2,3-2,7
де - Максимальні значення коефіцієнтів перекриття діапазону різними реактивними елементами контурів.
3.Так як > , То приймач однодіапазонними.
2.Полоса пропускання лінійного тракту приймача
Смуга пропускання лінійного тракту приймача:
= + (2)
де - Ширина спектру корисного сигналу, що дорівнює:
(3)
( - Верхня частота модуляції),
- Запас по смузі, обумовлений нестабільністю передавача, який дорівнює:
(4)
( - Відносна нестабільність частоти передавача)
(5)
Якщо / <1,2, то розширення смуги пропускання приймача за рахунок нестабільності частоти передавача незначно і приймаємо смугу пропускання лінійного тракту приймача рівною П. Якщо ж / > 1,2 розширення смуги істотно і вимагає введення системи ПАП. У цьому випадку:
(6)
де = 10-35-коефіцієнт передачі системи ПАП.
(7)
Так як / <1,2, то зупиняємося на введення системи ПАП
3. Вибір структури преселектора для забезпечення необхідної вибірковості
У даному розділі вибираються фільтри преселектора, що дозволяють забезпечити необхідну придушення двох основних паразитних каналів приймача - дзеркального і каналу прямого проходження.
Наведений розрахунок передбачає знання проміжної частоти приймача. Задаємося проміжною частотою проектованого приймача:
(8)
( - Середня несуча частота вхідного сигналу) для КВ діапазону (3МГц - 30МГц) і УКВ діапазону (30МГц - 300МГц);
(9)
Далі послідовно для кожного з паразитних каналів знаходимо структуру преселектора.
А) Визначення структури преселектора, що забезпечує придушення дзеркального каналу.
Знаходимо узагальнену расстройку дзеркального каналу:
(10)
де - Частота дзеркального каналу.
(11)
Еквівалентна загасання контурів тракту сигнальної (високої) частоти dесч вибирається з таблиці 1.
(12)
Таблиця 1
Для найменшого з отриманих в багатодіапазонні приймачах (Найгірший варіант) і необхідного придушення дзеркального каналу знаходимо за рис.1, вид виборчої системи, яка пригнічує паразитний дзеркальний канал. На цьому малюнку номер кривої відповідає вигляду фільтрової системи преселектора:
1 - ОКК (одиночний коливальний контур),
2 - ДПФ (подвійний смуговий фільтр),
3 - два ТЧХ,
4 - ДПФ і ТЧХ,
5 - три ТЧХ,
6 - два ДПФ,
7 - ДПФ і два ТЧХ,
8 - два ДПФ і один ТЧХ,
9 - три ДПФ,
10 - ДПФ при і ОКК з
Рис.1
Б) Визначення структури преселектора, що забезпечує придушення каналу прямого проходження.
Знаходимо узагальнену расстройку каналу прямого проходження:
(13)
Зазвичай узагальнена расстройка каналу прямого проходження багато більше узагальненої расстройки дзеркального каналу, тобто << . Це говорить про те, що паразитний канал прямого проходження засмучений відносно корисного сигналу набагато сильніший у порівнянні з дзеркальним каналом. У цьому випадку можна стверджувати, що обрана раніше виборча система для придушення дзеркального каналу надійно придушить і паразитний канал прямого проходження.
4. Вибір структури УПЧ
У даному розділі вибираються фільтри УПЧ, що дозволяють забезпечити необхідну придушення сусіднього каналу.
Для вибору фільтрів необхідно з'ясувати за технічним завданням величину необхідного придушення і розрахувати коефіцієнт прямокутності необхідної АЧХ УПЧ:
(14)
де - Расстройка по сусідньому каналу
Найбільш широке поширення в каскадах УПЧ отримали ФСС (фільтри зосередженої селекції), параметри яких наведені в таблиці 2.
Вибираючи ФСС треба враховувати, що його придушення повинно бути не менше ніж визначено ТЗ, а коефіцієнт прямокутності - не більше від необхідного. Вибравши фільтр і визначивши за таблицею 2 його коефіцієнт , Визначаємо частоту, на якій ФСС буде працювати:
(15)
де - Еквівалентний загасання контурів на першій проміжній частоті (Таблиця 1).
(16)
Таблиця 2
Вид фільтра | Число LC контурів | Коефіцієнт | Число каскадів | |
1 | 2 | |||
ФСС | ЧетиреLC контуру | 2,2 | 1,3 | |
3,7 | 1,7 | |||
0,35 | 0,385 | |||
ФСС | ПятьLC контурів | 1,8 | 1,2 | |
2.7 | 1.5 | |||
0,35 | 0.385 | |||
ФСС | ШестьLC контурів | 1,52 | 1,15 | |
2,2 | 1,3 | |||
0.35 | 0,385 |
5.Вибор кількості перетворень частоти в приймачі
При виборі структури преселектора у третьому розділі була вибрана перша проміжна частота приймача, при виборі структури УПЧ - друга. Так як , Приймач виконується з подвійним перетворенням частоти з .
6. Допустимий коефіцієнт шуму приймача
Знаходження максимально допустимого коефіцієнта шуму приймача проводиться за формулою (17):
де - Чутливість приймача,
до = 1,39 дж / град - постійна Больцмана,
= 293 К - температура за Кельвіном,
= 1,1 П - шумова температура приймача,
(18)
- Опір антени.
- Відношення сигнал / шум на вході детектора, здійснюється за формулою (19):
де - Відношення сигнал / шум на виході детектора. У формулу (19) підставляється в разах по напрузі;
- Пік-фактор сигналу;
- Максимальний індекс Ам сигналу;
- Смуга пропускання УНЧ;
(20)
7. Коефіцієнт шуму приймача
Коефіцієнт шуму приймача визначається через коефіцієнти шуму окремих каскадів приймача за формулою:
(21)
де - Коефіцієнти шуму вхідного ланцюга, підсилювача сигнальної частоти і перетворювача частоти відповідно,
- Коефіцієнти передачі по потужності вхідного ланцюга і підсилювача сигнальної частоти.
Коефіцієнти шуму і коефіцієнти передачі по потужності окремих каскадів приймача наведені в таблиці 3.
Таблиця 3
Вид каскаду | Коефіцієнт шуму | Максимальний коефіцієнт підсилення по потужності |
Одноконтурна вхідні ланцюг | 1 / (1 + а) | |
Підсилювач на транзисторі: із загальним емітером із загальною базою - По каскодне схемою | ||
Перетворювач частоти: на транзисторі з загальним емітером на транзисторі із загальною базою - На тунельно діоді | 5 ... 12 | 10 ... 30 |
У Таблиці 3:
а - коефіцієнт, що дорівнює для діапазонних приймачів а = 0,5;
- Коефіцієнт шуму обраного транзистора, який в довідниках задається в дБ, а в формулу (12) підставляється в разах по потужності;
- Параметри транзистора.
У Додатку 1 наведені деякі найбільш широко використовувані транзистори. У додатку 2 - формули для розрахунку параметром цих транзисторів. У Додатку 3 переклад дБ в рази.
Перевіркою правильності вибору транзистора служить виконання умови:
(22)
Вибираємо транзистор КТ3127А з параметрами:
Параметри біполярних транзисторів
Тип транзистора | (МГц) | (Ом) |
(ПФ) | (ПС) | Шт (дБ) | (Ом) (Ом) | ||||
КТ3127А | 600 | 6 | 150 | 1 | 10 | 5 | Травень 1910 |
Шт = 5Дб = 3,2 разів;
Знайдемо коефіцієнти шуму вхідного ланцюга, підсилювача сигнальної частоти і перетворювача частоти соответствен:
= 1 / 0, 5 = 2 (23)
2 Шт = 2 ∙ 3,2 = 6,4 (24)
4 Шт = 4 ∙ 3,2 = 12,8 (25)
Знайдемо коефіцієнти передачі по потужності вхідного ланцюга і підсилювача сигнальної частоти:
1 / (1 + а) = 1 / (1 +0,5) = 0,67 (26)
= (27)
Зворотній провідність транзистора визначається за формулою:
= ????? (28)
Знайдемо пряму провідність (крутизну) транзистора:
= = (29)
= (30)
Коефіцієнт шуму приймача за формулою (31):
=
умова виконана, транзистор обраний правильно.
8. Розрахунок коефіцієнта посилення приймача і розподіл посилення по каскадам
Узагальнена структурна схема приймача наведена на рис.3
Рис.3
1.Расчет числа каскадів тракту сигнальної частоти
Для цього обчислюється потрібне посилення:
(32)
де - Чутливість проектованого пріемнока,
- Напруга на вході першого перетворювача частоти, що складає 30 ... 40мкВ для біполярних транзисторів (БТ).
Визначимо необхідну кількість каскадів N в тракті сигнальної частоти, що забезпечує необхідну посилення:
(33)
де - Уточнений коефіцієнт передачі вхідного ланцюга ( - Коефіцієнт, що визначається за таблицею 4)
= (34)
- Коефіцієнт посилення підсилювача сигнальної частоти дорівнює коефіцієнту сталого посилення транзистора. Формули для розрахунку наведені в таблиці 5.
= = 17,33 (35)
Таблиця 4
Вид вхідного ланцюга
Тип транзистора в УСЧ
ОКК
ОКК
Польовий транзістов
Біполярний транзистор
10
100
ДПФ
ДПФ
Польовий транзістов
Біполярний транзистор
У таблиці 4 - Параметр зв'язку між контурами ДПФ.
Таблиця 5
Вид підсилювального каскаду
Тип транзистора
Схема включення транзистора
На одному транзисторі
Біполярний
Із загальним емітером
З загальною базою
На одному транзисторі
Польовий
Із загальним витоком
Із загальним затвором
Каскодне схема
Біполярні
-
Каскодне схема
Польові
-
=> Невірно, тому переходжу на каскадну схему включення, у якого:
Або ж можна взяти 2 каскаду на одному транзисторі
40 <270
= (36)
Вихідна провідність транзистора:
(37)
Тоді коефіцієнт посилення підсилювача сигнальної частоти дорівнює:
(38)
N = 1
2. Визначити число каскадів тракту першої проміжної частоти.
Число каскадів тракту першої проміжної частоти N визначається за аналогією з першим пунктом даного розділу: спочатку визначається необхідна посилення у цьому тракті, а вже далі необхідна кількість каскадів. Узагальнена формула обчислень:
(39)
де напруга на вході другого перетворювача частоти, рівне 300 ... 400мкВ для біполярних транзисторів (БТ).
= (40)
Знайдемо пряму і зворотну провідності транзистора:
= = (41)
= (42)
коефіцієнт посилення підсилювача сигнальної частоти дорівнює:
(43)
N = 1
Необхідно відзначити, що чим нижче частота, тим вище коефіцієнт стійкого посилення транзисторів.
3. Визначити число каскадів тракту другої проміжної частоти.
Обчислення проводяться за формулою:
(44)
де - Напруга на вході детектора, рівне (0.5 ... 1) У для АД, СД, ЧД (з налаштованими або засмученими контурами) і (30 ... 50) мВ для дробового ЧД;
= 5 ... 10 - коефіцієнт запасу.
Беремо транзистор КТ 342 В
= (45)
Знайдемо пряму і зворотну провідності транзистора:
= = (46)
= (47)
коефіцієнт посилення підсилювача сигнальної частоти дорівнює:
(48)
N = 4
4.Визначите посилення в тракті низької частоти.
Коефіцієнт посилення в тракті низької частоти дорівнює:
(49)
де = 2 ... 5 - коефіцієнт запасу,
= (0,8 ... 0,9)
= (50)
Визначаємо напругу в навантаженні:
= У (51)
У тракті низької частоти для забезпечення необхідного посилення доцільне використання мікросхем, деякі з яких наведено у Додатку 4.
Параметри та схеми включення мікросхем серії К226, призначені для посилення низької частоти.
Таблиця 4.
Серії МС | (КГц) | ||||
До 226 УН1А, Б, С | 250 ... 350 | 0, 2 ... 100 | +12, -6 |
Вхідна ємність мікросхеми не 226 перевищує 20пФ.
9. Визначення числа каскадів приймача, охоплених АРУ
У ТЗ наведено коефіцієнт регулювання АРУ, що показує динамічний діапазон зміни вхідного і вихідного сигналу. Для проведення подальших розрахунків ці динамічні діапазони треба перевести дБ за напругою і обчислити динамічний діапазон АРУ:
(52)
Число охоплюються каскадів N дорівнює:
(53)
де - Динамічний діапазон регулювання одного каскаду
(54)
- Число охоплених каскадів АРУ
10.Составленіе структурної схеми проектованого приймача
Узагальнена структурна схема приймача наведена на рис.4
Рис.4
Особливості побудови структурної схеми приймача наступні:
в діапазон приймача необхідно показати пов'язану перебудову каскадів ВЦ, УСЧ і Г приймача;
біля кожного виду пристрою показати їх кількість N =? і тип фільтрів (ТЧХ; ДПФ, ФСС), а також тип мікросхеми;
ввести АРУ і показати яка кількість підсилювальних каскадів охоплює система АРУ;
показати ПАП або ФАП проміжної частоти, що зменшує запас по смузі приймача, якщо розрахунки показали, що він необхідний;
замість Д, показаного на рис.4, необхідно ввести конкретний вид цього детектора:
для АТ сигналів - АТ,
для ЧТ сигналів - ЧД (перед «звичайним» ЧД необхідний обмежувач),
для сигналів з ОМ - СД (синхронний детектор). Зазвичай СД - це ФД, який формує вихідний сигнал з урахуванням не тільки різниці фаз вхідних коливань, але і їх амплітуд. Для роботи будь-якого ФД необхідно опорне коливання. Для ОМ коливань із залишком несучої опорне коливання виділяється в ФОН (фільтр залишку несучої) і підтримується системою ФАП (мал. 5). Для ОМ коливань з повністю пригніченою несучої опорне коливання формується в високостабільним генераторі (рис.6). Як випливає з малюнків, перед СД ставиться ФБП (фільтр бічної смуги), що виділяє спектр корисного сигналу, що міститься в бічній смузі.
Рис. 5
Рис.6
Додаток 1
Параметри біполярних транзисторів
Тип транзистора | (МГц) | (Ом) |
| (ПФ) | (ПС) | Шт (дБ) | (Ом) (Ом) |
КТ 342 В | 300 | 200 | 400 | 4 | 700 | 7 | Травень 1950 |
КТ 306 А | 500 | 30 | 30 | 5 | 500 | 15 | 30 100 |
КТ 306 Б | 650 | 30 | 60 | 5 | 500 | 15 | 30 100 |
КТ 3126 А | 500 | 7 | 100 | 2,5 | 15 | 8 | 5 червня |
КТ 3127 А | 600 | 6 | 150 | 1 | 10 | 5 | Травень 1910 |
КТ 316 А | 600 | 17 | 60 | 3 | 50 | 10 | 15 16,7 |
КТ 316 Б, В | 800 | 17 | 120 | 3 | 50 | 10 | 15 16,7 |
КТ 316 Г | 600 | 17 | 100 | 3 | 150 | 10 | 15 50 |
КТ 316 Д | 800 | 17 | 300 | 3 | 150 | 10 | 15 50 |
КТ 3128 А | 800 | 7 | 150 | 1 | 5 | 5 | 5 червня |
КТ 397 А | 800 | 25 | 300 | 1,3 | 40 |
6 | 20 30,8 | ||||||
КТ 3109 А | 800 | 8 | 15 | 1 | 10 | 6 | 10 липня |
ГТ 311 А | 770 | 8 | 70 | 1,8 | 50 | 8 | 8 27,8 |
ГТ 311 Б | 1500 | 8 | 80 | 1,5 | 100 | 5,1 | 8 66,7 |
ГТ 311 Г | 1500 | 8 | 60 | 1,5 | 75 | 5,1 | Серпень 1950 |
ГТ 311 Д | 1500 | 7 | 110 | 1,5 | 75 | 5,1 | Серпень 1950 |
ГТ 329 А | 1200 | 22 | 100 | 2 | 15 | 4 | 10 7,5 |
Т 341 А | 1950 | 60 | 60 | 1 | 10 | 4,5 | 30 жовтня |
КТ 382 А | 2250 | 3 | 330 | 2 | 6 | 3 | 3 березня |
КТ 382 Б | 2250 | 3 | 330 | 0,7 | 5,5 | 4,5 | 3 2,8 |
КТ 372 А | 2400 | 20 | 10 | 1 | 9 | 3,5 | 9 серпня |
КТ 372 Б | 3000 | 20 | 10 | 1 | 9 | 3,5 | 9 серпня |
КТ 371 А | 3600 | 10 | 200 | 1,2 | 10 | 5 | 8 8,3 |
Т 362 | 4800 | 5 | 200 | 1 | 10 | 4 | Серпня 1910 |
ГТ 362 Б | 4800 | 5 | 200 | 0,5 | 30 | 4 | 8 червні |
КТ 391 А | 7000 | 8 | 150 | 0,7 | 3,7 | 4,5 | 7 5,3 |
КТ 391 Б | 7000 | 8 | 150 | 1 | 3,7 | 4,5 | 7 5,3 |
КТ 368 А | 7000 | 6 | 300 | 1,7 | 15 | 3,3 | 5 2,8 |
КТ 368 Б | 7000 | 6 | 300 | 1,7 | 15 | 2,8 | 5 2,8 |
КТ 3115 А-2 | 7500 | 9 | 20 | 0,6 | 9 | 5 | Липень 1915 |
КТ 3124 А-2 | 8000 | 6 | 200 | 0,6 | 2,5 | 5 | 5 4,2 |
КТ 610 А | 10000 | 12 | 300 | 4,1 | 55 | 6 | 10 13,4 |
КТ 610 Б | 7000 | 12 | 300 | 4,1 | 22 | 6 | 5,4 |
Додаток 2
Параметри транзисторів на частотах нижче 500 МГц.
При включенні транзисторів у підсилювальний каскад за схемою з загальним емітером параметри транзистора наведені в таблиці 1, де:
- Пряма провідність (крутизна) транзистора,
- Зворотна провідність транзистора,
- Вихідна провідність транзистора,
- Вхідна провідність транзистора.
Таблиця 1
Параметри транзистора | Розрахункові формули |
де
,
При включенні транзисторів у підсилювальний каскад по каскадної схемою (ОЕ-ПРО) параметри транзисторів наведені в таблиці 2.
Таблиця 2
Параметри транзистора в схемі з ОЕ | Параметри транзистора в схемі з ОЕ ПРО |
Додаток 3
Таблиця відносин напруг і потужностей
N (дБ) | N (дБ) | N (дБ) | ||||||
0 | 1,0 | 1,0 | 2,1 | 1,27 | 1,62 | 7,0 | 2,2 | 5,02 |
0,1 | 1,012 | 1,024 | 2,2 | 1,29 | 1,66 | 8,0 | 2,5 | 6,31 |
0,2 | 1,024 | 1,048 | 2,3 | 1,31 | 1,7 | 9,0 | 2,8 | 8,0 |
0,3 | 1,035 | 1,07 | 2,4 | 1,32 | 1,74 | 10,0 | 3,2 | 10,0 |
0,4 | 1,047 | 1,09 | 2,5 | 1,34 | 1,8 | 11,0 | 3,58 | 13,0 |
0,5 | 1,06 | 1,12 | 2,6 | 1,35 | 1,82 | 12,0 | 4,0 | 16,0 |
0,6 | 1,07 | 1,14 | 2,7 | 1,365 | 1,86 | 13,0 | 4,5 | 20,0 |
0,7 | 1,085 | 1,17 | 2,8 | 1,38 | 1,9 | 14,0 | 5,02 | 25,1 |
0,8 | 1,097 | 1,2 | 2,9 | 1,4 | 1,95 | 15,0 | 5,67 | 31,0 |
0,9 | 1,11 | 1,23 | 3,0 | 1,42 | 2,0 | 16,0 | 6,31 | 40,0 |
1,0 | 1,12 | 1,26 | 3,1 | 1,437 | 2,048 | 17,0 | 7,1 | 51,0 |
1,1 | 1,135 | 1,29 | 3,2 | 1,45 | 2,096 | 18,0 | 8,0 | 64,0 |
1,2 | 1,148 | 1,3 | 3,3 | 1,47 | 2,14 | 19,0 | 8,96 | 80,0 |
1,3 | 1,161 | 1,3 | 3,4 | 1,486 | 2,18 | 20,0 | 10 | 100 |
1,4 | 1,17 | 1,3 | 3,5 | 1,5 | 2,24 | 30,0 | 32 | |
1,5 | 1,19 | 1,4 | 3,6 | 1,52 | 2,28 | 40,0 | 100 | |
1,6 | 1,2 | 1,4 | 3,7 | 1,54 | 2,34 | 50,0 | 320 | |
1,7 | 1,22 | 1,48 | 3,8 | 1,557 | 2,4 | 60,0 | ||
1,8 | 1,23 | 1,52 | 3,9 | 1,57 | 2,46 | 70,0 | ||
1,9 | 1,245 | 1,55 | 4,0 | 1,6 | 2,5 | 80,0 | ||
2,0 | 1,26 | 1,6 | 5,0 | 1,8 | 3,2 | 90,0 | ||
6,0 | 2,0 | 4,0 | 100.0 |
Додаток 4
Параметри та схеми включення мікросхем серії К 226, призначені для посилення низької частоти
Серії МС | (КГц) | ||||
До 226 УН1А, Б, С | 250 ... 350 | 0,2 ... 100 | +12, -6 | ||
До 226 УН2А, Б, С | 25 ... 35 | 0,02 ... 100 | +12, -6 | ||
До 226 УН3А, Б, С | 270 ... 330 | 0,02 ... 100 | +6, -9 | ||
До 226 УН4А, Б, С | 9 ... 11 | 0,02 ... 100 | +6, -9 | ||
До 226 УН5А, Б, С | 90 ... 100 | 0,02 ... 100 | +12, -6 |
Вхідні ємності перерахованих вище мікросхем не перевищують 20пФ.