Лабораторна робота 2
Тема: Дослідження біполярного транзистора
Мета: Отримання вхідних і вихідних характеристик транзистора
Прилади й елементи: біполярний транзистор 2N3904, джерело постійної ЕРС; джерело змінної ЕРС; амперметри; вольтметри; осцилограф; резистори.
Хід роботи:
1. Отримання вихідної характеристики транзистора в схемі з ОЕ.
Малюнок 1. Включення біполярного транзистора по схемі з загальним емітером
Таблиця 1. Результат експерименту
2. Отримання вхідної характеристики транзистора в схемі з ОЕ.
а) На схемі (рис. 2) встановити значення напруги джерела Е до рівним 10 В і провести вимірювання струму бази i Б, напруги база-емітер U6е, струму емітера I Е для різних значень напруги джерела Eg відповідно до таблиці 10.2 в розділі " Результати експериментів ". Звернути увагу, що колекторний струм, приблизно дорівнює струму в ланцюзі емітера.
б) У розділі "Результати експериментів" за даними таблиці 10.2 побудувати графік залежності струму бази від напруги база-емітер.
Малюнок 2
в) Побудувати схему, зображену на рис 3. Включити схему. Замалювати вхідну характеристику транзистора, дотримуючись масштаб, у розділі "Результати експериментів".
Малюнок 3
г) По вхідний характеристиці знайти опір r ВХ при зміні базового струму з 10 μA до 30 μА. Результат записати в розділ "Результати експериментів".
Контрольні питання
1. Дати визначення транзистора.
2. Види і типи транзисторів.
3. Режими роботи транзисторів.
Тема: Дослідження біполярного транзистора
Мета: Отримання вхідних і вихідних характеристик транзистора
Прилади й елементи: біполярний транзистор 2N3904, джерело постійної ЕРС; джерело змінної ЕРС; амперметри; вольтметри; осцилограф; резистори.
Хід роботи:
1. Отримання вихідної характеристики транзистора в схемі з ОЕ.
Малюнок 1. Включення біполярного транзистора по схемі з загальним емітером
Таблиця 1. Результат експерименту
Ек (В) | |||||||
Еб (В) | Iб (мкА) | 0,1 | 0,5 | 1 | 5 | 10 | 20 |
1,66 | 9,341 | -783,3 | -1,604 | -1,612 | -1,637 | -1,749 | -1,901 |
2,68 | 19,23 | -1,656 | -3,453 | -3,469 | -3,595 | -3,753 | -4,069 |
3,68 | 29,32 | -2,479 | -5,209 | -5,233 | -5,422 | -5,657 | -6,129 |
4,68 | 39,02 | -3,269 | -6,903 | -6,934 | -7,182 | -7,439 | -8,115 |
5,7 | 49,15 | -4,042 | -8,568 | -8,606 | -8,914 | -9,299 | -10,07 |
а) На схемі (рис. 2) встановити значення напруги джерела Е до рівним 10 В і провести вимірювання струму бази i Б, напруги база-емітер U6е, струму емітера I Е для різних значень напруги джерела Eg відповідно до таблиці 10.2 в розділі " Результати експериментів ". Звернути увагу, що колекторний струм, приблизно дорівнює струму в ланцюзі емітера.
б) У розділі "Результати експериментів" за даними таблиці 10.2 побудувати графік залежності струму бази від напруги база-емітер.
Малюнок 2
в) Побудувати схему, зображену на рис 3. Включити схему. Замалювати вхідну характеристику транзистора, дотримуючись масштаб, у розділі "Результати експериментів".
Малюнок 3
г) По вхідний характеристиці знайти опір r ВХ при зміні базового струму з 10 μA до 30 μА. Результат записати в розділ "Результати експериментів".
Контрольні питання
1. Дати визначення транзистора.
2. Види і типи транзисторів.
3. Режими роботи транзисторів.