Графоаналитический розрахунок та дослідження напівпровідникового підсилювального каскаду

[ виправити ] текст може містити помилки, будь ласка перевіряйте перш ніж використовувати.

скачати

ПОЯСНЮВАЛЬНА ЗАПИСКА

Тема:

"Графоаналитический розрахунок та дослідження напівпровідникового підсилювального каскаду"

Севастополь 2007

  1. Вибір параметрів підсилювального каскаду

Вибір параметрів підсилювального каскаду здійснено згідно з номером варіанта з додатка А, а також додатків В і Г, де визначено тип транзистора (U ке доп = 20 В, I до додаткових = 50 m А)

1. Тип транзистора

МП-20А

pnp

2. ЕРС джерела живлення

Ек

20 В

3. Опір навантаження

R к

0,68 кОм

4. Опір емітерного резистора

R е.

0,33 кОм

5. Амплітудне значення напруги сигналу

U вх m

0,08 В

6. Частота сигналу

f

400 Гц

Рис. 1. Одиночний транзисторний каскад посилення

Рис. 2. Схема транзистора

Для підсилювального каскаду обрана схема включення транзистора із загальним емітером. Вхідний сигнал прикладається до висновків емітера і бази, а джерело живлення колектора включений між висновками емітера і колектора. Таким чином, емітер є загальним електродом для вхідний і вихідний ланцюгів. Вхідним струмом є малий за величиною струм бази, вихідним струмом - струм колектора. У схемі з загальним емітером можна отримати коефіцієнт прямої передачі струму порядку декількох десятків.

  1. Побудова вхідний і вихідний статистичних характеристик транзистора

На малюнку 3, виконаному на міліметровому папері, побудовані вхідні і вихідні характеристики транзистора МП-20А. Для схеми із загальним емітером статичної вхідний характеристикою є графік залежності струму бази I б від напруги U бе при постійному значенні U ке: I б = f (U бе) при U ке = const. Вихідні характеристики транзистора для схеми з загальним емітером представляють собою залежності струму колектора від напруги між колектором і емітером при постійному струмі бази. I к = φ (U ке) при I б = const. Крутизна вихідних характеристик на початковій ділянці від U ке = 0 до | U ке | = | U бе | = 0,08 У велика. На ділянці | U ке |> | U бе | крутизна характеристик зменшується, і вони йдуть майже паралельно осі абсцис. Становище кожної з вихідних характеристик залежить, головним чином, від величини струму бази.

Значення струмів бази розраховується, починаючи з самої нижньої кривої, що відповідає I 0б = 0. Значення Δ I б = 0,1 мА наведено в правому верхньому куті графіків вихідних статичних характеристик додатка В. Отже:

I 0б

0

I 0б = 0 мА

I б1 = I 0б + Δ I б

0 +0,1

I б1 = 0,1 мА

I б2 = I б1 + Δ I б

0,1 +0,1

I б2 = 0,2 мА

I б3 = I б2 + Δ I б

0,2 +0,1

I б3 = 0,3 мА

I б4 = I б3. + Δ I б

0,3 +0,1

I б4 = 0,4 мА

I б5 = I б4 + Δ I б

0,4 +0,1

I б5 = 0,5 мА

  1. Побудова навантажувальної прямої для режиму постійного струму в ланцюзі колектора

Навантажувальна пряма представляє собою траєкторію руху робочої точки транзистора при зміні рівня вхідного сигналу. В основі побудови лежить рішення рівняння динамічного режиму транзистора щодо струму колектора. Спершу будуємо навантажувальну пряму для режиму постійного струму в ланцюзі колектора (пряма АВ на рис. 3.) При відсутності вхідного сигналу, тобто змінної напруги U вх заданої частоти, в колекторному ланцюзі буде протікати тільки постійний струм колектора I до, і встановиться баланс напружень, що визначається законом Кірхгофа:

Ек = U RK + U ке + U R Е = I K R K + U КЕ + I Е К Е (1)

Звідси напруга, що знімається з колектора транзистора (вихідна для нього):

U ке = Е к - U RK - U R Е = E K - I k R k - I е. R е. (2)

Для спрощення міркувань пренебрежем відомим співвідношенням I Е = I K + I Б> I K, і, оскільки струм бази I Б «I до, приймемо I I Е. Тоді вираз (2) набуде вигляду:

U КЕ = Е к - U RK - U R Е = Ек - I до 'R к - I K R е = E к - I к (R к + R е.) (3)

Вираз (3) називається рівнянням динамічного режиму роботи транзистора, що показує, що напруга на виході транзистора U КЕ змінюється при будь-яких змінах струму колектора I K.

Дозволивши рівняння (3) щодо струму I K, отримаємо:

(4)

Рівняння (4) дозволяє побудувати навантажувальну пряму транзистора по постійному струму.

Прирівнюючи нулю значення U КЕ (транзистор відкритий), отримаємо:

I к = Ек / (R к + R е.) = 20 / (680 +330) = 0,0198 А = 19,8 мА - точка А на осі ординат.

Прирівнюючи нулю значення I к (транзистор закритий), отримуємо:

Ек / (R к + R е.) = U ке / (R к + R е.) => Ек = U ке = 20 В-точка В на осі абсцис.

Поєднавши точки, отримуємо шукану навантажувальну пряму АВ для режиму постійного струму в ланцюзі колектора (рисунок 3).

Примітка: ці точки - теоретичні, оскільки транзистор в принципі не може бути відкрито до рівня нульового опору переходу колектор - емітер, яке мало, але R КЕ ≠ 0, тому не може бути і U КЕ = I R R КЕ рівним нулю. Це ж можна сказати і про закритому стані транзистора, для якого струм колектора дуже малий, але I до ≠ 0.

  1. Побудова динамічної перехідної характеристики для режиму постійного струму

Користуючись графіками вхідної характеристики і навантажувальної прямої знайдемо геометричне рішення рівняння I K = f (I Б) у динамічному режимі, що представляє собою перехідну динамічну характеристику

Перехідна динамічна характеристика побудована в лівому верхньому квадранті графічним методом. Для цього ординати точок перетину навантажувальної прямої зі статичними вихідними характеристиками проектуються у другій квадрант, де перетинаються з проекціями відповідних їм струмів бази. За отриманими точкам будується динамічна перехідна характеристики для режиму постійного струму I к = f (I Б) -

При I Б = 0 струм колектора дуже малий, обумовлений рухом тільки «теплових» неосновних носіїв через перехід колектор-база і є струм насичення неосновних носіїв колекторного переходу I K = I К S (транзистор знаходиться на кордоні режиму відсічення). Перехідна характеристика має протяжний лінійний ділянку і лише при наближенні до режиму насичення транзистора стає нелінійною. При подальшому збільшенні струму бази I Б струм колектора асимптотично прагне до свого найбільшому значенню

= 20 / (680 +330) =) = 0,0198 А = 19,8 мА

5. Вибір положення початкової робочої точки Р для режиму постійного струму в ланцюзі колектора

Положення початкової робочої точки (точки спокою при U ВХ = 0) на всіх характеристиках задається напругою зміщення U БЕ і визначає здатність транзистора впливати на форму сигналу в процесі підсилення. Найменша спотворення форми сигналу досягається в транзисторному каскаді, що працює в класі А.

Початкова робоча точка Р для такого підсилювального каскаду повинна розташовуватися на ділянці вхідної характеристики, найбільш близькому до лінійного (в межах подвійної амплітуди вхідного сигналу), що відповідає найбільш лінійному ділянці перехідної характеристики. Тільки в цьому випадку між змінами вхідного сигналу Δ U БЕ і вихідного струму Δ I K (а , отже, і вихідної напруги Δ U КЕ) буде мати місце лінійна залежність.

Після вибору положення початкової робочої точки Р на вхідний і перехідною динамічної характеристики вона переноситься на навантажувальну пряму. Саме в цій точці знімаємо з графіків числові значення параметрів, що характеризують початкову робочу точку (точку спокою при відсутності вхідного сигналу): U бе0 = 0,15 В; I б0 = 0,2 мА; U ке0 = 10 В; I до0 = 10 мА.

6. Побудова навантажувальної прямої для режиму змінного струму

У режимі змінного струму на вхід підсилювального каскаду подається вхідний синусоїдальний сигнал заданої амплітуди (U ВХ ≠ 0) і частоти f.

Цьому режиму роботи відповідає інша навантажувальна пряма, при побудові якої береться до уваги шунтування резистора температурної стабілізації R е. = 0,33 кОм малим ємнісним опором конденсатора Се на частоті вхідного сигналу. Для простоти будемо вважати, що на заданій частоті f = 400Гц ємнісний опір конденсатора X C = 0 і він повністю закорачивается резистор R е. Тоді емітер транзистора на частоті вхідного сигналу виявляється замкнутим на землю і баланс напруг колекторному ланцюзі зміниться в порівнянні з виразом (3).

Оскільки ці зміни проявляються тільки на змінної складової сигналу, перепишемо рівняння (1) з урахуванням наявності цієї складової:

Звідси

(5)

Згрупуємо доданки

(6)

І введемо нові позначення:

Ек '= Ек - I до0 · R е. I к = I до0 + i до ≈

Остаточно отримаємо:

(7)

Рівнянню (7) відповідає діаграма, наведена на малюнку 4.

Малюнок 4 - До побудови навантажувальної прямої для змінної складової за наявності елементів R е і Се

Дозволивши рівняння (7) щодо струму I до, отримаємо:

(8)

Ми бачимо, що вираз (8) за формою збігається з виразом (4), яке лежало в основі побудови навантажувальної прямої для постійного струму в ланцюзі колектора.

Тому, розмірковуючи аналогічно, знайдемо значення максимального струму колектора I K = Е к / R K (При U ке = 0) для змінної складової.

Е к = Ек - I до0 · R е. = 20 - 0,01 · 330 => Е до = 16,7 (В)

I к = (Ек - I до0 · R е.) / R до

I до = 16,7 / 680 ≈ 0,02456 = 24,56 · 10 ˉ ³ А => I к = 24,56 (мА)

Продовжуємо побудови на міліметровому папері (рис. 3). Відклавши на осі I K отримане нове значення максимального струму колектора (точка С), через цю точку і обрану раніше початкову робочу точку (точку спокою Р), проводиться навантажувальна пряма для режиму змінного струму колектора. Всі подальші міркування і побудови, що характеризують роботу підсилювального каскаду, виконуємо з використанням цієї навантажувальної прямої.

7. Побудова динамічної перехідної характеристики для режиму змінного струму

Динамічна перехідна характеристика для режиму змінного струму будується по точках перетину щойно побудованої навантажувальної прямої для змінного струму з вихідними статичними характеристиками. Аналогічно побудови динамічної перехідної характеристики для режиму постійного струму в лівому верхньому кутку малюнка 3 знаходимо точки перетину ліній, що йдуть від вихідних характеристик і ліній, що проходять через відповідні їм струми бази. На більшій частині лінійного ділянки обидві перехідні характеристики збігаються або достатньо близькі по розташуванню, однак, асимптоти (лінії, до яких наближаються характеристики у верхній частині), різняться.

8. Робота каскаду як посилення А

При відсутності вхідного сигналу (U вх = 0) стан транзистора визначається напругою зміщення │ U бе │ = │ U БЕ0 │ = │ U R 2 - U R Е │ = 150 мВ = const, забезпечує роботу каскаду в класі А. Для роботи каскаду як А на базу подається така напруга зсуву, щоб робоча точка Р, яка визначає початковий стан схеми при відсутності вхідного сигналу, розташовувалася приблизно на середині найбільш прямолінійного ділянки вхідної характеристики. У цьому режимі напруга зміщення U бе за абсолютною величиною завжди більше амплітуди вхідного сигналу U вх m (150 мВ> 80 мВ), а струм спокою I до0 завжди більше амплітуди змінної складової вихідного струму (I до0> I до m). У режимі А при подачі на вхід каскаду синусоїдальної напруги у вихідному ланцюзі буде протікати струм, що змінюється теж по синусоїді. Це обумовлює мінімальні нелінійні спотворення сигналу. Але, режим А самий неекономічний, так як корисною є лише потужність, що виділяється у вихідному ланцюзі за рахунок змінної складової вихідного струму, а споживана потужність визначається значно більшою величиною постійної складової. Тому ККД підсилювального каскаду як А - 20-30%. Звичайно в цьому режимі працюють каскади попереднього підсилення або малопотужні вихідні каскади.

9. Визначення напруг і струмів транзисторного підсилювального каскаду графоаналітичним методом

На графіках всіх характеристик, починаючи з вхідними, наводяться тимчасові діаграми відповідних сигналів (див. малюнок 3). Вісь часу проведена перпендикулярно до осі відображуваного параметра на лінії, що проходить через початкову робочу точку. Вісь змін параметра проведена паралельно осі параметра основного графіка, якщо вісь основного графіка позитивна, то напрями осей співпадають, якщо негативна, то протилежно.

- Заданий параметр U вх max = 0,08 В = 80 мВ.

Діаграма побудована в лівому нижньому квадранті. Будується графік одного періоду вхідного синусоїдального сигналу. Масштаб діаграми по осі U ВХ збігається з масштабом осі U бе основного графіка. Позитивна напівхвиля відкладається відповідно з позитивним напрямом осі U ВХ (на малюнку 3 воно протилежно негативному напрямку осі U бе основного графіка). Масштаб графіка по осі часу довільний і збережеться при побудові інших тимчасових діаграм.

На цій тимчасовій діаграмі графік зміни сигналу на вході підсилювального каскаду (перед розділовим конденсатором С P 1) представлений рівно заштрихованої синусоїдою.

При дії вхідного сигналу графік зміни напруги U БЕ являє собою алгебраїчну суму постійної складової U БЕ0 і змінної складової U вх. Під час позитивного напівперіоду U вх результуючої є різниця між постійної складової - U БЕ0 і змінної складової + u вх (в нашому випадку, коли вісь U БЕ негативна). Під час негативного напівперіоду u вх ці дві складові складаються.

Графік зміни напруги - U БЕ (Після розділового конденсатора С Р1) при впливі вхідного сигналу + U ВХ представлений фігурою, заштрихованої по діагоналі.

Усі діаграми, побудовані далі є похідними від щойно побудованої діаграми u вх = f (t). Вони будуються в осях часу і відповідного параметра, вісь часу проходить через початкову робочу точку (точку спокою Р). Точки максимального відхилення вхідної напруги u вх (в обидві сторони від осі часу) проектуються на вхідну статичну характеристику і визначають відповідні їм максимальні відхилення струму бази I Б відносно I Б0, (стану при u вх = 0).

На осі часу t відкладається один період Т = 1 / f зміни сигналу i Б. Масштаб осі діаграми i Б збігається з масштабом осі I Б основного графіка.

Аналіз даної діаграми показує, що при відсутності вхідного сигналу (u вх = 0) базовий струм постійний в часі і дорівнює I Б = I Б0 = 0,2 мА = const. Під дією вхідного сигналу базовий струм I Б змінюється в часі. Зміна змінної складової струму бази під впливом вхідного сигналу представлено на тимчасовій діаграмі I Б = f (t) рівно заштрихованої фігурою. Зважаючи на деяку нелінійності вибраної ділянки вхідної характеристики амплітудні значення зміни змінної складової струму бази I Б m 1 ≠ I Б m 2 Сумарне зміна струму I Б = I Б0 ± i Б через базовий електрод під впливом вхідного сигналу u вх представлено фігурою, заштрихованої по діагоналі.

Розмірковуючи аналогічно, будуємо тимчасові діаграми i K = f (t), u ВИХІД = f (t). Зміна змінної складової - рівно заштриховані фігури, сумарне змін струму колектора і вихідного сигналу - фігури, заштриховані по діагоналі.

На графіку u ВИХІД = f (t) видно, що каскад посилення на транзисторі в загальним емітером змінює (інвертує) фазу вхідного сигналу на протилежну тобто напруга сигналу на вході і на виході каскаду зрушені між собою по фазі на 180 градусів.

Знімаємо з графіків амплітудні значення змінних складових струмів і напруг сигналів. При нерівності амплітудних значень змінних складових в позитивному і негативному напівперіодах вибираємо більшу з них.

U ВХ m

I Б m

I Km

U ВИХІД m

0,08 В

0,18 мА

7 ма

4,3 У

10. Розрахунок значення опорів резисторів R 1 і R 2 вхідного дільника напруги

Резистори R 1, R 2 являють собою дільник напруги. Ми маємо схему з фіксованою напругою зсуву на базі. Резистори R 1 і R 2 підключені паралельно джерела живлення. Фіксована напруга знімається з резистора R 2. Нехтуючи малим внутрішнім опором джерела живлення можна вважати, що R 1 і R 2 включені паралельно один одному. При паралельному включенні їх загальний опір буде менше меншого з них і визначається саме цим опором. У нашому випадку це резистор R 2.

Для того щоб напруга була «фіксованим» і не залежало від зовнішніх чинників (зміни температури, зміни властивостей транзистора через старіння), що впливають на електричну ланцюг, включену паралельно резистору R 2, (Куди входить і емітерний-базовий перехід транзистора), R цього ланцюга має бути значно більше опору R 2.

Значить струм в ланцюзі R 2 (а значить і в ланцюзі всього дільника напруги R 1, R 2) буде більше, ніж в ланцюзі струму бази транзистора.

I дільника зазвичай I д = (5 ... 7) I Бо. (9)

I д = 6 · I Бо = 6 · 0,0002 = 0,0012 А = 1,2 мА

Тоді, приймаючи до уваги, що згідно із законом Кірхгофа

U R 2 = U БЕ0 + U R Е0 = I Д R 2, (10)

U БЕ0 - знімається з графіка U БЕ0 = 0,15 В

U R Е0 = I K 0 R Е = 0,01 · 330 = 3,3 В

знаходимо

(11)

R2 = (0,15 +3,3) / 0,0012 = 3,45 / 0,0012 = 2875 Ом

R2 = 2,875 кОм.

Враховуючи, що через резистор R 1 протікають і струм дільника I д і струм бази I Б0, запишемо для нього вираз:

Але

Тоді

(12)

R 1 = (16,7 -3,45) / (0,0012 +0,0002) = 13,25 / 0,0014 ≈ 9464,3 Ом

R 1 = 9,464 кОм

11. Розрахунок значень ємностей роздільних конденсаторів

Розділовий конденсатор C p 1 відокремлює змінну складову від постійної (З р2 аналогічний для наступного каскаду посилення) і є верхнім плечем дільника вхідного змінного напруги U ВХ. Нижнім плечем цього дільника є вхідний опір каскаду R ВХ, яке для змінної складової вхідного сигналу визначається паралельно включеними резисторами R 2 і R 1 (Верхня точка R 1 замикається на «землю» через малий опір джерела харчування E к) та опором транзистора. Опір резистора R Е до уваги не беруть, тому що на частоті сигналу воно шунтований малим ємнісним опором конденсатора Се.

Узагальнене рівняння дільника напруги:

(1З)

Ми бачимо, що саме нижнє плече (по відношенню до верхнього) визначає результат ділення. Потрібно прагнути зменшити опір верхнього плеча (з (13) видно, що при R ВЕРХ = 0 вихідна напруга дільника найбільше (U вьгх = U ВХ). Отже, ємнісний опір розділового конденсатора C Р1 повинно бути менше опору нижнього плеча.

Зазвичай величини ємностей роздільних конденсаторів C р1 і C р2 на вході і виході підсилювального каскаду приймаються рівними C Р1 = C Р2 = С Р. Їх значення визначаються зі співвідношення:

X Cp ≤ 0, l R 2, (14)

X Cp ≤ 0, l · 2875; X Cp ≤ 287,5 Ом

Де - Ємнісний опір розділового конденсатора, Ом (при f - Гц і С р - Ф).

1 / (2 π f · C р) = 287,5

1 / (2 · 3,141593 · 400 · C р) = 287,5; 1 / (2513,2744 · C р) = 287,5; 2513,2744 · C р = 0,003478; Ср = 0,00000138 Ф = 1,38 мкФ.

  1. Розрахунок значення ємності конденсатора С Е

Шунтувальний конденсатор З е. призначений для усунення (зменшення) негативного зворотного зв'язку, що виникає на резисторі R 3 при наявності вхідної змінної напруги U ВХ - Цей зворотний зв'язок зменшує коефіцієнт посилення каскаду на частоті вхідного сигналу і може бути небажана. Саме, щоб відвести від резистора R е. змінну складову струму колектора (вважаємо i Е ≈ i K) і ставиться цей конденсатор.

Очевидно, що чим менше опір місткості цього конденсатора, тим краще по ньому відводиться від R е. змінна складова струму колектора. Виходячи з цих міркувань, звичайно приймають

X C Е ≤ 0,1 R Е, (15)

Xc е. ≤ 0,1 · 330

Xc е = 33 Ом

де - Ємнісний опір шунтуючого конденсатора, Ом (при f - Гц і С е - Ф).

33 = 1 / (2 · 3,141593 · 400 · Се); 33 = 1 / (2513,2744 · Се); 2513,2744 · Се = 1 / 33; Се = 0,0303 / 2513,2744; Се = 0,0000121 Ф = 12,1 мкФ.

13. Вибір номінальних значень опорів, розрахованих резисторів і ємностей конденсаторів

Отримані в результаті розрахунків значення R і C нормалізуємо відповідно до таблиці номіналів, вважаючи застосування в схемі елементів II групи з точністю ± 10%.

R 1 = 9,464 кОм

9464 Ом

R 1 = 10 · 10 ^ 3 Ом

R 1 = 10 кОм

R 2 = 2,875 кОм

2875 Ом

R 2 = 2 · 10 ^ 3 Ом

R 2 = 2 кОм

Ср = 1,38 мкФ

Ср = 0,00000138 Ф

Ср = 1 · 10 ^ -6 Ф

Ср = 1 мкФ

Се = 12,1 мкФ

Се = 0,0000121 Ф

Се = 12 · 10 ^ -6 Ф

Се = 12 мкФ

R, C = a 10 ± n

Клас точності

Коефіцієнт а

II ± 10%

10

-

12

-

15

-

18

-

22

-

27

-

33

-

39

-

47

-

56

-

68

-

82

-

14. Розрахунок коефіцієнта корисної дії каскаду

Коефіцієнт корисної дії каскаду визначається з

(16)

де - Корисна потужність, що передається підсилювальним каскадом в навантаження (представляє собою площу трикутника, див. рисунок 3 і 5);

Рк m = (1 / 2) · (4,3 · 0,007) = 0,01505 Вт = 15,05 m Вт

- Витрачена (марно) потужність в режимі U вх = 0 (представляє собою площу прямокутника під точкою А).

Рк0 = 10 · 0,01 = 0,1 Вт

Дотримується умова Р K 0 <P K ДОП, де P K ДОП = 150 m Вт = 0,15 Вт - допустима потужність колекторного переходу, взята з додатка Г.

- Потужність, споживана підсилювальним каскадом від джерела живлення;

Рк = 0,01505 Вт + 0,1 Вт = 0,11505 Вт

Малюнок 5 - Графічне пояснення до визначення к.к.д. підсилювального каскаду

η = (0,01505 / 0,11505) · 100% = 13,1%.

15. Розрахунок коефіцієнтів підсилення каскаду

Коефіцієнти підсилення каскаду по струму, напрузі та потужності обчислюються як відношення амплітуд вихідних значень до вхідних:

; ; (17)

Величини U ВХ m; U ВИХІД m; I K m; I Б m. отримані при аналізі роботи підсилювального каскаду графоаналітичним методом (малюнок 3).

Ku = 4.3/0.08 = 53.75 Ki = 0.007/0.00018 = 38.89 Kp = 53.75 · 38.89 = 2090.34.

Висновок

У даній роботі було проведено графоаналітичний розрахунок одиночного транзисторного каскаду підсилення. Підсилювач побудований на основі схеми підключення транзистора із загальним емітером. Ця схема дає найбільше посилення по потужності. Коефіцієнт прямої передачі або посилення по струму відповідає кільком десяткам. Отримане нами значення Ki = 38.89 відповідає заданим вимогам. До переваг схеми, крім великого коефіцієнта підсилення по струму, належить можливість живлення схеми від одного джерела (так як на базу і на колектор подається напруга одного знака). Резистори R 1 і R 2 складають дільник напруги. Опір дільника повинно бути великим (кілька кіло, нами отримано близько 4 кОм), інакше вхідний опір дуже мало. Зміна струму в ланцюгах емітера і колектора транзистора незначно впливають на величину напруги зміщення, отже стабільна робота. Для розрахунку були використані графіки статичних характеристик транзистора: вхідна і вихідна. Побудовано динамічні характеристики. Нелінійні спотворення представляють собою зміну форми кривої підсилюються коливань, викликане нелінійними властивостями ланцюга, через яку ці коливання проходять. Основна причина - нелінійність вхідної характеристики транзистора. Коли на вхід підсилювача поданий сигнал синусоїдальної форми, то потрапляючи на нелінійний ділянку вхідної характеристики транзистора, цей сигнал викликає зміна вхідного струму, форма якого відрізняється від синусоїдальної і, отже, вихідний струм і вихідна напруга змінюють свою форму в порівнянні з вхідним сигналом. Розділовий конденсатор С1 служить для запобігання протікання постійної складової струму бази через джерело вхідного сигналу. За допомогою С2 на вихід каскаду подається змінна складова U ке, що змінюється за законом вхідного сигналу, але значно перевищує його за величиною. R е. застосовується для термостабілізації. Він шунтований Се досить великої ємності, порядку десятків мікрофарад (нами отримано 12,1 m ЛФ). Це робиться для відводу змінної складової струму емітера від резистора R е..

Коефіцієнт корисної дії каскаду η = 13,1%

Коефіцієнти підсилення по напрузі, струму і потужності: Ku = 4.3/0.08 = 53.75, Ki = 0.007/0.00018 = 38.89, Kp = 53.75 · 38.89 = 2090.34.

Додати в блог або на сайт

Цей текст може містити помилки.

Комунікації, зв'язок, цифрові прилади і радіоелектроніка | Курсова
88кб. | скачати


Схожі роботи:
Розрахунок випрямляча розрахунок транзисторного підсилювального каскаду синтез логічних схем
Розрахунок підсилювального резистивного каскаду на біполярних транзисторах
Розрахунок напівпровідникового випрямляча
Розрахунок кінцевого каскаду передавача
Дослідження напівпровідникового стабілітрона
Дослідження напівпровідникового діода
Проектування вихідного каскаду зв`язкового передавача з частотною модуляцією
Напівпровідникові пластини і їх параметри Підготовка розрізання напівпровідникового злитка на пластини
Кінематичний розрахунок приводу стрічкового конвеєра і розрахунок черв`ячної передачі
© Усі права захищені
написати до нас