«Розробка підсилювача потужності звуку» сторінка 3

1 2 3 4

Ім'я файлу: ККП з Конструювання Шевченко Д. С. 540 гр..docx
Розширення: docx
Розмір: 7191кб.
Дата: 25.05.2023
скачати
Пов'язані файли:
Ресурсний потенціал атмосфери.pptx

4. ТЕХНОЛОГІЯ ВИРОБНИЦТВА

4.1 Технологія виготовлення підсилювача потужності звуку

1. Побудова схеми. Необхідно побудувати схему підсилювача, використовуючи спеціалізовані програмні засоби для розрахунку параметрів схеми та підбору компонентів. Зараз на ринку доступний великий вибір програм для схемотехнічного моделювання, наприклад P-CAD, Proteus, CircuitMaker та інші.

2. Вибір компонентів. Виконати підбір компонентів для побудови схеми, такі як операційні підсилювачі, резистори, конденсатори, транзистори, діоди та інші елементи. Краще обирати якісні компоненти від підтверджених виробників.

3. Розташування компонентів на платі. Необхідно виконати компоновку компонентів на платі відповідно до схеми та плану розташування. Важливе дотримання правил розміщення компонентів на платі, таких як збільшення відстані між елементами, зниження кількості перехідних вузлів тощо.

4. Монтаж компонентів. За допомогою інструментів монтажу компонентів (наприклад, паяльних станцій) проводиться закріплення компонентів на платі.

5. Тестування. Після закінчення монтажу під’єднується джерело живлення та звукова колонка до підсилювача та виконується перевірка його робти.

6. Виміряйте параметри, такі як підсилювання, частотний діапазон, спотворення та інші, та переконайтеся, що вони відповідають заданим вимогам.

7. Відлагодження. Підсилювач є простим у налаштуванні: потрібно встановити струм спокою вихідних транзисторів.

Його необхідно виставляти на «прогрітому» підсилювачі, після того як він пограє 20-30 хвилин.

Далі для виставлення струму спокою потрібно замкнути вхід на землю, а вихід лишити без навантаження, тобто від’єднати від нього динаміки.

Струм спокою можна дізнатись, вимірявши падіння напруги на парі емітерних транзисторів (рис. 4.1), наприклад R22, R21, для цього необхідно встановити мультиметр на межу 200 мВ, а щупи під’єднати до істоків транзисторів VT8 та VT9

Рисунок 4.1 – Вимірювання струму спокою

Відповідно струм спокою розраховується за наступною формулою:

За допомогою підстроєчного резистору R17 необхідно виставити показники мультиметра від 30 до 44 мВ, що буде дорівнювати току спокою від 70 - 100 мА.

Після налаштування необхідно перевірити напругу на виході, якщо вона є стабільною, то можна під'єднувати динаміки та насолоджуватись звучанням.

4.2 Технологія виготовлення друкованої плати

Технологія виготовлення друкованих плат є складним процесом, який складається з декількох етапів. Основні етапи виготовлення друкованої плати включають підготовку друкованої плати, нанесення шарів міді, фото процес, етапи травлення, покриття захисним шаром та свердління отворів. Нижче наведено детальну технологію виготовлення друкованої плати:

Підготовка друкованої плати. Спочатку потрібно підготувати матеріал для друкованої плати, який зазвичай є скловолокнистою каркасною платою FR4. Далі, згідно з проектом друкованої плати, на цю основу наноситься захисний шар лаку або фольги для захисту від корозії та для підвищення адгезії мідних шарів.
Нанесення шарів міді. Наступним етапом є нанесення мідного шару на друковану плату. Це може бути зроблено за допомогою електролітичного методу, де мідні йонообмінні реакції відбуваються в розчині, що містить мідь. Або накладання мідного шару методом напилення.
Фото процес. Після нанесення мідного шару на друковану плату, наноситься фоточутливий шар спеціальної фарби на поверхню мідного шару. Після цього друкована плата проходить під фотомаскою, щоб відтворити план мідних доріжок та відповідних отворів на фоточутливому шарі. Після плата піддається впливу світла, після чого шар фоточутливої фарби проявляється тільки на тих місцях, де необхідні мідні зони, відповідно до малюнка проектування.
Етапи травлення. Після фото процесу друкована плата проходить через ряд хімічних етапів травлення. Усі ті місця, де фоточутливий шар був проявлений, на друкованій платі залишаються мідні доріжки. Решта мідного шару залишається під захисним шаром, який захищає від корозії.
Покриття захисним шаром. Після травлення друкованої плати на поверхню мідних доріжок наноситься захисний шар. Це зазвичай лак, який захищає друковану плату від впливу навколишнього середовища та забезпечує ізоляцію між провідниками.
Свердління отворів. Після покриття захисним шаром, друкована плата проходить через процес свердління отворів відповідно до дизайну плати.
Паяння компонентів. Останнім етапом виготовлення друкованої плати є паяння компонентів. Компоненти, такі як резистори, конденсатори та транзистори, підключаються до мідних доріжок, відповідно до проектування, за допомогою лужного паяльника.

Після завершення етапів збирання, плату необхідно візуально оцінити на наявність погано пропаяних елементів, пошкоджень чи невідповідності збірки принциповій схемі. Якщо все в нормі, можна виконувати етап налаштування та експлуатації.

ВИСНОВКИ

Під час виконання курсової роботи були здобуті знання та практичні навички у галузі розробки, проектування та збирання друкованих плат та корпусів. Було вивчено ряд програмних забезпечень, які допомагають при створенні та проектуванні друкованих плат. Крім того були проведені конструкторські розрахунки резонансної частоти друковано плати та параметрів радіатору, необхідного для ефективного охолодження активних частин підсилювача.

У процесі роботи було виконано дослідження типів звукових підсилювачі, а саме їх класифікації, основні параметри, переваги та недоліки. Спираючись на ці дані було обране ефективне рішення модернізації приладу.

Було розроблено конструкторське рішення корпусу спираючись на габаритні розміри друкованої плати та радіатору охолодження.

Також в ході розробки друкованої плати були використані програмні забезпечення автоматичного проектування, що дозволило мінімізувати допущення помилки в трасуванні друкованої плати, в наслідок чого був отриманий якісний ескіз, використавши який, є можливість створення підсилювача потужності звуку.

Була розглянута технологія виробництва друкованої плати, та виробництво музичної колонки в цілому.

Також розглянуто методику налаштування підсилювача для виведення його ефективності роботи на максимально можливий рівень.

Список інформаційних джерел

1. Олейник В. Н. ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ В PCAD И OrCAD. Харьков : «ХАИ», 2011. 53 с.

2. КОНСТРУЮВАННЯ ТА ТЕХНОЛОГІЯ ВИРОБНИЦТВА ТЕХНІКИ РЕЄСТРАЦІЇ ІНФОРМАЦІЇ: У 3-х кн. Кн. 2. ОСНОВИ КОНСТРУЮВАННЯ: Навчальний посібник / Є. М. Травніков, В. С. Лазебний, Г. Г. Власюк, В. В. Пілінський, В. М. Співак, В. Б. Швайченко. За загальною редакцією В. С. Лазебного – К.: «КАФЕДРА», 2015. – с.: іл.

3. Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ Обозначения общего применения ГОСТ 2.721 - 74

4. Единая система конструкторской документации ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ. СИГНАЛЬНАЯ ТЕХНИКА ГОСТ 2.758-81

5. Умовні графічні позначення елементів на електротехнічних схемах : методичні вказівки з електротехніки для викладачів і студентів електротехнічних спеціальностей / уклад. В. Д. Юхимчук. – Харків: НТУ «ХПІ», 2009. – _52 с.

6. Data sheet TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA1930 URL: https://alltransistors.com/adv/pdfdatasheet_toshiba/2sa1930.pdf

7. Data sheet TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5171 URL: https://alltransistors.com/adv/pdfdatasheet_toshiba/2sc5171.pdf

8. Data sheet Motorola SEMICONDUCTOR Technical data IRF510, IRF511, IRF512, IRF513 URL: https://alltransistors.com/adv/pdfdatasheet_1/irf510_irf511_irf512_irf513.pdf

9. Data sheet International IOR Rectifier HEXFET Power MOSFET IRF9640 URL: https://alltransistors.com/adv/pdfdatasheet_international_rectifier/irf9640.pdf

10. Data sheet International IOR Rectifier HEXFET Power MOSFET IRF640 URL: https://alltransistors.com/adv/pdfdatasheet_international_rectifier/irf640.pdf

11. Data sheet 2N5401 PNP high-voltage transistor Product specification Supersedes data of 1997 May 22 URL: https://alltransistors.com/adv/pdfdatasheet_philips/2n5401_3.pdf

12. Data sheet 2N5550; 2N5551 NPN high-voltage transistor Product specification Supersedes data of 1997 Apr 09 URL: https://alltransistors.com/adv/pdfdatasheet_philips/2n5550_2n5551_3.pdf

13. Практическое пособие по учебному конструированию РЭА П69 / В. Т. Белинский, В. П. Гондюл, А. Б. Грозин, и др.; Под ред. К. Б Круковского-Синевича, Ю. Л. Мазора.–К.:Вища шк., 1992.–494 с.: ил.

ДОДАТОК А

Зона	Позначення	Найменування	Кількість	Примітки

		Конденсатори	20

	С1, С9, С15	Металоплівковий конденсатора 1µF 400V ±10%	3
	С2, С3	22uF 25V EHR 5x11mm (EHR220M25B-Hitano)	2
	C4, C7	TE 470uF 25V 8*12 105C 4000Hr [Low ESR]	2
	С5, С6	CBB-22 0,47uF – 400V	2
	С8	CT4 470pF ±10% 50V X7R	1
	С10, С11	TE 47uF 100V 10*15 105C 4000Hr [Low ESR]	2
	С12, С13, С14	33pF, NPO, 5%, 50V	3
	C16	0.1uF , 250V, CBB22 104J 250V	1
	C17, C18	TE 3300uF 25V 16*25 105C 5000Hr [Low ESR]	2
	С19, С20	CBB22 0.15uF 400V ±5%	2

		Котушка	1

	L1	1mkH	1

		Резистори	24

	R1, R14	22kOhm	2

1 2 3 4

скачати

© Усі права захищені
написати до нас