Ім'я файлу: 11.docx
Розширення: docx
Розмір: 558кб.
Дата: 19.12.2022
скачати
Пов'язані файли:
Лаб1_Шпак.docx
Розширення: docx
Розмір: 558кб.
Дата: 19.12.2022
скачати
Пов'язані файли:
Лаб1_Шпак.docx
Міністерство освіти і науки України
Національний університет «Львівська політехніка»
Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки
Екзамен
з дисципліни "Аналогова схемотехніка”
Варіант № 16
Виконав:
ст. гр. ТР-25
Радик І.Р.
Прийняв:
Кіселичник М.Д.
Львів–2022
1. Поясніть, як і які види ємностей проявляються в p-n-переході.
Охарактеризуйте їх. Наведіть відповідні характеристики.
Розрізняють бар‘єрну та дифузійну ємності.
2.Поясніть, що таке стабістор, як він працює та яка його статична ВАХ.
Стабистор - різновид напівпровідникового діода, в якому для стабілізації
напруги використовується пряма гілка ВАХ (вольт-амперна характеристика).
Таким чином в області прямого зміщення напруга на ньому практично не
залежить від рівня струму. Відмінною особливістю стабісторов в порівнянні зі
стабілітронами є набагато меншу напругу стабілізації, яке становить близько 0,7
Вольт.
Стабистор відкривається при незначній прямій напрузі Unp і через нього
починає текти наростаючий за величиною прямий струм Іпр. Пряма гілка вольтамперної характеристики стабистора проходить майже паралельно осі Іпр; при
значній зміні прямого струму через стабистор падіння напруги на ньому
змінюється дуже мало
3. Поясніть, що таке фізичні малосигнальні моделі (еквівалентні схеми)
біполярного транзистора і як формують найпростішу з них. Опишіть
призначення її елементів та вкажіть, як визначають їх параметри.
Еквівалентні схеми призначені для визначення зв’язку між фізичними параметрами й електричними характеристиками транзистора. Еквівалентні схеми є різновидом моделей транзистора і складаються з простих елементів (діодів, джерел струму, резисторів, конденсаторів тощо). На рисунку наведено еквівалентні схеми транзистора для низьких частот. Про схеми на високих частотах йдеться нижче.
Схеми, що наведені на рисунку, непридатні для діапазону високих частот через те, що на високих частотах є вплив ємностей емітерного та колекторного переходів на параметри транзистора, а також виявляється час проходження носіїв заряду через базу. Ці фактори ураховані в схемі, яка наведена на рисунку.
4. Накресліть будову та схемне позначення МДН-транзистора з індукованим
p-каналом, позначте полярності його напруг і поясніть, як він
працюватиме, коли подана на затвор напруга є від’ємною. Поряд подайте
статичні ВАХ.
Канал провідності струму в цьому типі транзистора не створюється, а індукується завдяки припливу електронів з p-області при прикладеній до затвору напруги позитивної полярності. Транзистор з індукованим каналом працює тільки в режимі збагачення. Для n канального транзистора на затвор подається плюс відносно витоку, на p канальний транзистор - мінус. Залежність струму стоку IС від напруги UЗВ називають стоко-затворною статичною ВАХ МДН-транзистора з індукованим каналом. Залежності струму стоку IС від напруги UСВ, прикладеної між стоком і витоком, при різних значеннях напруги UЗВ подано нижче на рисунку. Ці залежності подібні до стокових ВАХ МДН-транзистора з вбудованим n-каналом.
6. Накресліть схему інвертуючого підсилювача на базі ОП. Чому дорівнює Кu
такого підсилювача.
7. Накресліть схему автогенератора на базі 2Т-чотириполюника зворотнього
зв'язку. Чому рівна fген ?
Будь-який автогенератор, незалежно від його схеми та призначення, є нелінійним пристроєм, який перетворює енергію живлення в енергію коливань.
8. Накресліть три схеми включення транзистора, накресліть вхідку та вихідну
ВАХ та вкажіть три області роботи транзистора включеного по схемі з СЕ.
Існують три основні схеми включення транзистора
– зі спільною базою (СБ);
– зі спільним емітером (СЕ);
– зі спільним колектором (СК).