1   2   3
Ім'я файлу: 02VYITRZ.RTF
Розширення: rtf
Розмір: 315кб.
Дата: 25.04.2021
скачати
Пов'язані файли:
Актуальність.docx
Анотація.docx
Гра брейн-ринг «Це моя Україна! Це моя Батьківщина!».docx

Основні результати дисертації опубліковані в роботах

  1. Vyklyuk Y.I., Deibuk V.G.The band structure and electron density of InSb1-xBix solid solutions // Acta Physica Polonica A – 1998. – v94, №3. – Р.611-616

  2. Rarenko I.M., Vyklyuk J.I., Deibuk V.G., DremlyuzhenkoS.G., Zakharuk Z.L The investigation of electronic band parameters, obtaining and peculiarities of InSb1-xBix crystal structures // IV Internat. Conference on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics. – (Kyiv). – 1998, Р.114.

  3. Дейбук В.Г., Виклюк Я.И., И.М.Раренко Расчёт зонной структуры твёрдого раствора InSb1-xBix// ФТП, – 1999. – т33, №3. – С.289-292

  4. Vyklyuk Y.I., Deibuk V.G., Rarenko I.M. The calculation of optical properties of InSbBi solid solutions // 3 Internat. School - Conf. ”Physical problems in material science of semiconductors ”. – (Chernivtsi).– 1999, p.115.

  5. Vyklyuk Y.I., Deibuk V.G., Rarenko I.M. The calculation of absorption coefficient of InSbBi solid solutions // Semiconductor Physics, Quantum and Optoelectronics, – 2000. – v3, №2. – Р.174-177

  6. Королюк С.В., Виклюк Я.І., Дейбук В.Г.. Розрахунок зонної структури, ефективних мас та електронної густини потрійних твердих розчинів заміщення GaxIn1-xP // УФЖ, – 2000. – т45, №3. – С.318-321

  7. Виклюк Я.І., Дейбук В.Г. Вплив внутрішніх локальних деформацій на оптичні характеристики GaxIn1-xP // УФЖ, – 2001. – т46, №11. – С.1185-1190

  8. Виклюк Я.И., Дейбук В.Г., Золотарёв С.В. Оптические свойства неупорядоченных объемных и эпитаксиальных полупроводниковых сплавов GaxIn1-xP. // ФТП – 2002. – т36, №8 – с.925 – 931

  9. Vyklyuk Y.I., Deibuk V.G. TheoreticalinvestigationsoftheopticalpropertiesofpseudomorphicInAsxSb1-xfilms// International Conference “Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics”. – (Kyiv). –2002, с.25


Виклюк Я.І.

Зонна структура, хімічний зв’язок та оптичні властивості напівпровідникових твердих розчинів заміщення GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хВіх

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Чернівці, 2002

Дисертацію присвячено теоретичному дослідженню зонної структури, хімічного зв’язку та оптичних властивостей твердих розчинів заміщення GaxIn1-xP, InAsxSb1-x та InSb1-хBiх. Електронна зонна структура твердих розчинів розраховувалась методом локального модельного псевдопотенціалу при врахуванні спін-орбітальної взаємодії, композиційної невпорядкованості та неузгодженості постійних гратки. Виникаюча внаслідок останнього локальна деформація гратки була врахована при розрахунках деформаційних потенціалів.

Досліджено перебудову хімічного зв’язку у вищевказаних сплавах зі зміною складу х, використовуючи підхід повної валентної густини заряду та полярності р. Проведений розрахунок поперечного ефективного заряду, пружних констант, проаналізовано вплив на них перебудови хімічного зв’язку.

Врахування внутрішніх локальних деформацій та композиційної невпорядкованості у сплавах GaxIn1-xP, InAsxSb1-x та InSb1-хBiх дозволяє пояснити їх основні оптичні характеристики.

Досліджено вплив підкладки на зонну структуру та оптичні властивості тонких псевдоморфних плівок. Показано, що виникаючі при цьому біаксіальні деформації розтягу або стиску по-різному впливають на зміну положення піків Е1, Е1+1, Е2 та Е2+2.

Ключові слова: псевдопотенціал, GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хBiх композиційна невпорядкованість, внутрішні локальні деформації, псевдоморфна плівка.
Vyklyuk Y.I.

Band structure, chemical bond and optical properties of GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хВіхsemiconductor solid solutions

ThesisonsearchofthescientificdegreeofCandidateofphysical an mathematical sciences, speciality 01.04.10 – Physics of semiconductors and insulators. – ChernivtsiNational University,Chernivtsi, 2002

Thesis is devoted to the theoretical investigations of band structure, chemical bond and optical properties of substitution solid solutions GaxIn1-xP, InAsxSb1-x and InSb1-хBiх. The electronic band structure of solid solutions was calculated by the local model pseudopotential method upon consideration of spin-orbit interaction, composition disorder and disagreement of lattice constants. The local deformation of lattice, which appears because of this, was taken into account during calculations of deformation potentials.

Was investigated a change of the chemical bond in the alloys, mentioned above, with a change in the concentration x, using an approach of the total valence density of chargeand polarity p. The calculations of transverse effective charge, elastic constants are carried out and are analyzed influence on them a change in the chemical bond.

The calculations of internal local strain and composition disorder in the alloys of GaxIn1-xP, InAsxSb1-x and InSb1-хBiх explain their fundamental optical characteristics.

The influence of the substrate on the band structure and the optical properties of pseudomorphic thin films are investigated. It is shown that biaxial strains or stresses in different ways affect a change in the position of peaks Е1, Е1+1, Е2 and Е2+2.

Key words: pseudopotential, GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хBiх, composition disorder, internal local strain, pseudomorphic film.
Виклюк Я.И.

Зонная структура, химическая связь и оптические свойства полупроводниковых твердых растворов замещения GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хВіх

Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков. – Черновицкий национальный университет имени Юрия Федьковича, Черновцы, 2002

Диссертация посвящена теоретическому исследованию электронной зонной структуры, химической связи и оптических свойств твердых растворов замещения GaxIn1-xP, InAsxSb1-x и InSb1-хBiх, а также зонной структуре и оптическим свойствам тонких псевдоморфных пленок GaxIn1-xP/GaAs, GaxIn1-xP/GaP, InAsxSb1-x/InSb, InAsxSb1-x/AlSb, InAsxSb1-x/InAs.

Рассмотрены и проанализированы различные методы и модели для расчета зонной структуры полупроводников. Электронная зонная структура указанных твердых растворов рассчитывалась методом локального модельного псевдопотенциала при учете спин-орбитального взаимодействия. Проанализировано влияние температуры на ширину запрещенной зоны растворов. Композиционная неупорядоченность учитывалась в модели модифицированного виртуального кристалла. Внутренние локальные деформации, которые являются следствием несогласованности постоянных решеток, были учтены при расчетах деформационных потенциалов. Показано, что сплавные эффекты приводят к отклонению от закона Вегарда и имеют важное значение при анализе основных особенностей зонной структуры полупроводниковых растворов замещения.

Проанализировано различные подходы для определения типа химической связи в полупроводниковых кристаллах. Исследованы химическая связь бинарных соединений GaP, InP, InAs, InSb, InBi, а также впервые исследовано влияние сплавных эффектов на перестройку характера связи в полупроводниковых сплавах GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хBiх с изменением состава х, используя подход полной валентной плотности заряда, полярности р и поперечного эффективного заряда е*Т. Показано, что учет влияния композиционной неупорядоченности во всех трех сплавах приводит к появлению значительного прогиба композиционных зависимостей указанных величин. Исследована взаимосвязь между полярностью р и коэффициентом зарядовой асимметрии g,определение которых основано на различных теоретических подходах. Так полярность является мерой асимметрии псевдопотенциала, а коэффициент зарядовой асимметрии характеризирует асимметрию пространственного распределения валентного заряда.

Проведен расчет упругих постоянных и модулей упругости указанных тройных твердых растворов и проанализировано влияние на них перестройки химической связи. Отмечено, что в отличие от полярности, коэффициента зарядовой асимметрии, эффективных зарядов, учет сплавных эффектов в рассматриваемых сплавах приводит к наличию выгиба композиционных зависимостей упругих постоянных и модулей упругости. Показано, что они реагируют на сплавные эффекты не так сильно, как р(х), g(х) и е*Т(х).

В рамках модельного псевдопотенциала с учетом матричных элементов вероятности переходов (проконтролированных с помощью правил отбора) была рассчитана мнимая часть диэлектрической функции бинарных соединений GaP, InP, InAs, InSb, InBi. Исследована взаимосвязь оптических характеристик с электронной зонной структурой и типом химической связи. С помощью соотношений Крамерса-Кронига была рассчитана действительная часть диэлектрической функции, это в свою очередь позволило рассчитать коэффициенты преломления, поглощения и отражения.

Учет внутренних локальных деформаций и композиционной неупорядоченности в сплавах GaxIn1-xP, InAsxSb1-x и InSb1-хBiх позволил объяснить основные особенности композиционных зависимостей спектральных пиков, в том числе сильного прогиба, который наблюдается в спектре Е1(х) у сплава GaxIn1-xP.

Исследовано влияние подложки на зонную структуру и оптические особенности тонких псевдоморфних пленок. Показано, что оптические характеристики пленок GaxIn1-xP/GaAs и GaxIn1-xP/GaP отличаются от объемных образцов и зависят от материала подложки, а также имеют особенности композиционной зависимости оптических пиков Е1(х), Е2(х). Хорошее согласование с экспериментом позволило впервые рассчитать композиционную зависимость зонной структуры и спектральных пиков тонких пленок InAsxSb1-x/InSb, InAsxSb1-x/AlSb, InAsxSb1-x/InAs. Показано, что биаксиальные деформации растяжения или сжатия со стороны подложки по-разному влияют на изменение положения пиков Е1, Е1+1, Е2 и Е2+2.

Ключевые слова: псевдопотенциал, GaxIn1-xP, InAsxSb1-x, InSb1-хBiх композиционная неупорядоченность, внутренние локальные деформации, псевдоморфная пленка.
1   2   3

скачати

© Усі права захищені
написати до нас